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#1 |
数量:1420 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，1-3个工作日送达. |
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| 规格书 |
IRFD113,SiHFD113 |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| 包装高度 | 3.37(Max) |
| 安装 | Through Hole |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 800@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装宽度 | 6.29(Max) |
| 供应商封装形式 | HVMDIP |
| 包装长度 | 5(Max) |
| PCB | 4 |
| 最大连续漏极电流 | 0.8 |
| 引脚数 | 4 |
| 单位包 | 100 |
| 最小起订量 | 2500 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 800mA (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 供应商设备封装 | 4-HVMDIP |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | * |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 200pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 7nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 800mA (Tc) |
| 系列 | IRFD113 |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 技术 | Si |
| RoHS | RoHS Compliant |
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