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数量:0 |
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| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 50V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 1.7A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 200 mOhm @ 860mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 13nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 250pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | 4-DIP (0.300, 7.62mm) |
| 供应商器件封装 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 4HVMDIP |
| 最大漏源电压 | 50 V |
| 最大连续漏极电流 | 1.7 A |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 供应商封装形式 | HVMDIP |
| 欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
| 最大连续漏极电流 | 1.7 |
| 渠道类型 | N |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大漏源电压 | 50 |
| 引脚数 | 4 |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.7A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 50V |
| 供应商设备封装 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 200 mOhm @ 860mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 封装/外壳 | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 250pF @ 25V |
| 其他名称 | *IRFD010 |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 13nC @ 10V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 1.7 A |
| 配置 | Single |
| 漏源击穿电压 | 50 V |
| RoHS | No RoHS Version Available |
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