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数量:0 |
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| 规格书 |
 IRFD110 |
| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 100V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 1A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 540 mOhm @ 600mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 8.3nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 180pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.3W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | 4-DIP (0.300, 7.62mm) |
| 供应商器件封装 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 4HVMDIP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 最大连续漏极电流 | 1 A |
| RDS -于 | 540@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 6.9 ns |
| 典型上升时间 | 16 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 典型下降时间 | 9.4 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 封装/外壳 | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 供应商设备封装 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 540 mOhm @ 600mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.3W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 180pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 8.3nC @ 10V |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 1 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| RDS（ON） | 540 mOhms |
| 功率耗散 | 1300 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 16 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| RoHS | No |
| 下降时间 | 16 ns |
| 漏极电流（最大值） | 1 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.54 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | HexDIP |
| 引脚数 | 4 |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 100 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 删除 | Not Compliant |
| 品牌 | Vishay Semiconductors |
| 技术 | Si |
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