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规格书 |
![]() ![]() IRFD014 |
Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 1.7A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 200 mOhm @ 1A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 11nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 310pF @ 25V |
功率 - 最大 | 1.3W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | 4-DIP (0.300, 7.62mm) |
供应商器件封装 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
包装材料 | Tube |
包装 | 4HVMDIP |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 60 V |
最大连续漏极电流 | 1.7 A |
RDS -于 | 200@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 10 ns |
典型上升时间 | 50 ns |
典型关闭延迟时间 | 13 ns |
典型下降时间 | 19 ns |
工作温度 | -55 to 175 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Bulk |
标准包装 | Rail / Tube |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
最高工作温度 | 175 |
标准包装名称 | DIP |
最低工作温度 | -55 |
渠道类型 | N |
最大漏源电阻 | 200@10V |
最大漏源电压 | 60 |
每个芯片的元件数 | 1 |
供应商封装形式 | HVMDIP |
最大功率耗散 | 1300 |
最大连续漏极电流 | 1.7 |
引脚数 | 4 |
单位包 | 0 |
最小起订量 | 1 |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 1.7A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 250µA |
封装/外壳 | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
供应商设备封装 | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
其他名称 | *IRFD014 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 200 mOhm @ 1A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 1.3W |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 310pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 11nC @ 10V |
RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
工厂包装数量 | 2500 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
配置 | Single Dual Drain |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 1.7 A |
安装风格 | Through Hole |
RDS(ON) | 200 mOhms |
功率耗散 | 1300 mW |
最低工作温度 | - 55 C |
上升时间 | 50 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 60 V |
RoHS | No RoHS Version Available |
下降时间 | 50 ns |
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