#1 |
数量:0 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货,5-8个工作日送达. |
|
规格书 |
![]() IXT(U,Y)12N06T ![]() |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 70 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 12A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 85 mOhm @ 6A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 25µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 3.4nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 256pF @ 25V |
功率 - 最大 | 33W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | TO-252, (D-Pak) |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 12A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 25µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
标准包装 | 70 |
供应商设备封装 | TO-252, (D-Pak) |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 85 mOhm @ 6A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 33W |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 256pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 3.4nC @ 10V |
工厂包装数量 | 75 |
晶体管极性 | N-Channel |
最低工作温度 | - 55 C |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 12 A |
系列 | IXTY12N06 |
单位重量 | 0.012346 oz |
RDS(ON) | 85 mOhms |
功率耗散 | 33 W |
安装风格 | SMD/SMT |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 175 C |
漏源击穿电压 | 60 V |
RoHS | RoHS Compliant |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
品牌 | IXYS |
Pd - Power Dissipation | 33 W |
通道数 | 1 Channel |
技术 | Si |
Rds On - Drain-Source Resistance | 85 mOhms |
Id - Continuous Drain Current | 12 A |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
IXTY12N06T也可以通过以下分类找到
IXTY12N06T相关搜索
咨询QQ
热线电话