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IXTY1R4N60P图片
  1. IXTY1R4N60P
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IXTY1R4N60P 

产品描述

MOSFET 1.4 Amps 600 V 8 Ohm Rds

内部编号

184-IXTY1R4N60P

生产厂商

IXYS

ixys

#1

 数量:277
1+¥7.5898
10+¥6.5095
100+¥4.9984
500+¥4.4172
1000+¥3.4872
2500+¥3.0838
5000+¥3.0223
10000+¥2.9676
25000+¥2.7829
最小起订量:1
美国加州
当天发货，1-3个工作日送达.
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#2

 数量:550
1+¥9.5695
10+¥8.4658
25+¥7.6472
100+¥6.6916
250+¥5.8719
500+¥5.1892
1000+¥4.0967
2500+¥3.8236
5000+¥3.6324
最小起订量:1
美国费城
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立即询价

#3

 数量:70
最小起订金额:￥￦600
新加坡
当天发货，1-3个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税
支付方式

IXTY1R4N60P产品详细规格

Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 75
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压（VDSS） 600V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 1.4A
Rds（最大）@ ID，VGS 9 Ohm @ 500mA, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 5.5V @ 25µA
栅极电荷（Qg）@ VGS 5.2nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 140pF @ 25V
功率 - 最大 50W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 TO-252, (D-Pak)
包装材料 Tube

IXTY1R4N60P系列产品

型号厂家产品描述
IXTY1R4N60PTRL IXYS
IXTY1R4N100P IXYS MOSFET 1.4 Amps 1000V 11 Rds
IXTY1R4N120P IXYS Trans MOSFET N-CH 1.2KV 1.4A
IXTY1R6N100D2 IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
IXTY1R6N50D2 IXYS MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
IXTY1R6N50P IXYS MOSFET 1.6 Amps 500 V 6 Ohm Rds
IXTY12N06T IXYS MOSFET 12 Amps 6V
IXTY15N20T IXYS MOSFET 15 Amps 200V 180 Rds
IXTY1N100P IXYS MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds
IXTY1N120P IXYS Trans MOSFET N-CH 1.2KV 1A
IXTY1N80 IXYS MOSFET 1 Amps 800 V 11 W Rds
IXTY1N80P IXYS MOSFET POLAR MOSFET WITH REDUCED RDS 800V 1A
IXTY01N100 IXYS MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds
IXTY01N100D IXYS MOSFET MOSFET N-CH DEPLETN 1000V 100MA TO-25
IXTY01N80 IXYS MOSFET 0.1 Amps 800V 50 Rds
IXTY02N120P IXYS MOSFET 0.2Amps 1200V
IXTY02N50D IXYS MOSFET 0.2 Amps 500V 30 Rds
IXTY05N100 IXYS MOSFET Legacy MOS
IXTY06N120P IXYS - TO-252
IXTY08N100D2 IXYS MOSFET 8mAmps 1000V

IXTY1R4N60P也可以通过以下分类找到

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