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数量:1352 |
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规格书 |
![]() IXT(U,Y)01N100 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 1000V (1kV) |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 100mA |
Rds(最大)@ ID,VGS | 80 Ohm @ 100mA, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4.5V @ 25µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 6.9nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 54pF @ 25V |
功率 - 最大 | 25W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | TO-252AA |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
最大门源电压 | ±20 |
安装 | Surface Mount |
包装宽度 | 6.22(Max) |
PCB | 2 |
最大功率耗散 | 25000 |
最大漏源电压 | 1000 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 80000@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | TO-252AA |
标准包装名称 | DPAK |
最高工作温度 | 150 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 6.73(Max) |
引脚数 | 3 |
通道模式 | Enhancement |
包装高度 | 2.38(Max) |
最大连续漏极电流 | 0.1 |
标签 | Tab |
铅形状 | Gull-wing |
FET特点 | Standard |
封装 | Cut Tape (CT) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 100mA (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4.5V @ 25µA |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商设备封装 | TO-252AA |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 80 Ohm @ 100mA, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 25W |
标准包装 | 70 |
漏极至源极电压(Vdss) | 1000V (1kV) |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 54pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 6.9nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | IXTY01N100DKR |
工厂包装数量 | 50 |
配置 | Single |
晶体管极性 | N-Channel |
最低工作温度 | - 55 C |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 0.1 A |
系列 | IXTY01N100 |
单位重量 | 0.012346 oz |
RDS(ON) | 80 Ohms |
功率耗散 | 25 W |
安装风格 | SMD/SMT |
正向跨导 - 闵 | 160 ms |
典型关闭延迟时间 | 28 ns |
上升时间 | 12 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 1000 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 28 ns |
栅源电压(最大值) | �20 V |
漏源导通电阻 | 80 ohm |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | TO-252AA |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏源导通电压 | 1000 V |
弧度硬化 | No |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1000 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
宽度 | 6.22 mm |
品牌 | IXYS |
通道数 | 1 Channel |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 100 mA |
长度 | 6.73 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 80 Ohms |
身高 | 2.38 mm |
典型导通延迟时间 | 12 ns |
Pd - Power Dissipation | 25 W |
技术 | Si |
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