Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 75 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 1200V (1.2kV) |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 1.4A |
Rds(最大)@ ID,VGS | - |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4.5V @ 100µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | - |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | - |
功率 - 最大 | - |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | TO-252, (D-Pak) |
包装材料 | Tube |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
通道模式 | Enhancement |
渠道类型 | N |
最大漏源电阻 | 13000@10V |
最大漏源电压 | 1200 |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大功率耗散 | 86000 |
最大连续漏极电流 | 1.4 |
最低工作温度 | -55 |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 1.4A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4.5V @ 100µA |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商设备封装 | TO-252, (D-Pak) |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
标准包装 | 75 |
漏极至源极电压(Vdss) | 1200V (1.2kV) |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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