IXTY08N120P

产品描述

MOSFET 0.8 Amps 1200V 25 Rds

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美国加州
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标准包装	75
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	1200V (1.2kV)
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	8A
Rds（最大）@ ID，VGS	-
VGS（TH）（最大）@ Id	-
栅极电荷（Qg）@ VGS	-
输入电容（Ciss）@ Vds的	-
功率 - 最大	-
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220
包装材料	Tube
FET特点	Standard
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	8A (Tc)
封装/外壳	TO-220-3
供应商设备封装	TO-220
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
标准包装	70
漏极至源极电压（Vdss）	1200V (1.2kV)
工厂包装数量	75
系列	IXTY08N120
单位重量	0.081130 oz
RoHS	RoHS Compliant
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	1200 V
晶体管极性	N-Channel
品牌	IXYS
Id - Continuous Drain Current	8 A
安装风格	Through Hole
通道数	1 Channel
Rds On - Drain-Source Resistance	25 Ohms
晶体管类型	1 N-Channel
技术	Si

型号	厂家	产品描述
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IXTY08N100P	IXYS	MOSFET 0.8 Amps 1000V 20 Rds
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IXTY01N80	IXYS	MOSFET 0.1 Amps 800V 50 Rds
IXTY02N120P	IXYS	MOSFET 0.2Amps 1200V
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IXTY06N120P	IXYS	- TO-252
IXTY12N06T	IXYS	MOSFET 12 Amps 6V
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IXTY1N80	IXYS	MOSFET 1 Amps 800 V 11 W Rds
IXTY1N80P	IXYS	MOSFET POLAR MOSFET WITH REDUCED RDS 800V 1A
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IXTY1R4N60PTRL	IXYS

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