#1 |
数量:0 |
|
最小起订量:1 美国加州 当天发货,5-8个工作日送达. |
|
标准包装 | 75 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 1200V (1.2kV) |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 8A |
Rds(最大)@ ID,VGS | - |
VGS(TH)(最大)@ Id | - |
栅极电荷(Qg)@ VGS | - |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | - |
功率 - 最大 | - |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220 |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 8A (Tc) |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商设备封装 | TO-220 |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
标准包装 | 70 |
漏极至源极电压(Vdss) | 1200V (1.2kV) |
工厂包装数量 | 75 |
系列 | IXTY08N120 |
单位重量 | 0.081130 oz |
RoHS | RoHS Compliant |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1200 V |
晶体管极性 | N-Channel |
品牌 | IXYS |
Id - Continuous Drain Current | 8 A |
安装风格 | Through Hole |
通道数 | 1 Channel |
Rds On - Drain-Source Resistance | 25 Ohms |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
技术 | Si |
IXTY08N120P也可以通过以下分类找到
IXTY08N120P相关搜索