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STGx19NC60KD |
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STGP19NC60KD View All Specifications TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013 |
其他相关文件 | STGP19NC60KD View All 规格 |
标准包装 | 50 |
IGBT 型 | - |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 600V |
蒸气云爆炸(上)(最大值)”的发展,集成电路 | 2.75V @ 15V, 12A |
集电极电流(Ic)(最大) | 35A |
当前 - Collector Pulsed (Icm) | 75A |
功率 - 最大 | 125W |
Switching 能源 | 420µJ |
输入 型 | Standard |
栅极电荷 | 55nC |
Td(开/关)@ 25°C | 30ns/105ns |
测试条件 | 480V, 12A, 10 Ohm, 15V |
反向恢复时间(trr) | 31ns |
包装材料 | Tube |
包/盒 | TO-220-3 |
安装类型 | Through Hole |
供应商器件封装 | TO-220 |
动态目录 | Standard IGBTs###/catalog/en/partgroup/standard-igbts/17460?mpart=STGP19NC60KD&vendor=497&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称; |
包装 | 3TO-220 |
配置 | Single |
最大集电极发射极电压 | 600 V |
最大连续集电极电流 | 35 A |
最大栅极发射极电压 | ±20 V |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
供应商封装形式 | TO-220 |
最大栅极发射极电压 | ±20 |
最大连续集电极电流 | 35 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
包装宽度 | 4.6(Max) |
标准包装名称 | TO-220 |
包装高度 | 9.15(Max) |
最大功率耗散 | 125000 |
渠道类型 | N |
封装 | Tape and Reel |
最大集电极发射极电压 | 600 |
标签 | Tab |
PCB | 3 |
包装长度 | 10.4(Max) |
最低工作温度 | -55 |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Through Hole |
栅极电荷 | 55nC |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 35A |
安装类型 | Through Hole |
开关能量 | 420µJ |
时间Td(开/关) @ 25°C | 30ns/105ns |
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 | 2.75V @ 15V, 12A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 600V |
供应商设备封装 | TO-220 |
反向恢复时间(trr ) | 31ns |
功率 - 最大 | 125W |
输入类型 | Standard |
封装/外壳 | TO-220-3 |
测试条件 | 480V, 12A, 10 Ohm, 15V |
其他名称 | 497-8439-5 |
电流 - 集电极脉冲( ICM ) | 75A |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
产品种类 | IGBT Transistors |
连续集电极电流Ic最大 | 35 A |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 600 V |
安装风格 | Through Hole |
功率耗散 | 125 W |
最低工作温度 | - 55 C |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
集电极电流( DC)(最大值) | 35 A |
集电极 - 发射极电压 | 600 V |
包装类型 | TO-220 |
工作温度(最大) | 150C |
工作温度(最小值) | -55C |
工作温度分类 | Military |
Gate to Emitter Voltage (Max) | �20 V |
弧度硬化 | No |
集电极电流(DC ) | 35 A |
输入类型 | Standard |
系列 | PowerMESH™ |
测试条件 | 480V, 12A, 10 Ohm, 15V |
电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 75A |
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) | 2.75V @ 15V, 12A |
Td (on/off) A 25°C | 30ns/105ns |
封装/外壳 | TO-220-3 |
反向恢复时间 (trr) | 31ns |
闸极电荷 | 55nC |
功率 - 最大值 | 125W |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 35A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 600V |
系列 | 600-650V IGBTs |
工厂包装数量 | 1000 |
技术 | Si |
品牌 | STMicroelectronics |
Pd - Power Dissipation | 125 W |
身高 | 9.15 mm |
长度 | 10.4 mm |
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