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厂商型号

STGP19NC60KD 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220 T/R

内部编号

390-STGP19NC60KD

生产厂商

stmicroelectronics

stm

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STGP19NC60KD产品详细规格

规格书 STGP19NC60KD datasheet 规格书
STGP19NC60KD datasheet 规格书
STGx19NC60KD
STGP19NC60KD datasheet 规格书
文档 STGP19NC60KD View All Specifications
TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013
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标准包装 50
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
蒸气云爆炸(上)(最大值)”的发展,集成电路 2.75V @ 15V, 12A
集电极电流(Ic)(最大) 35A
当前 - Collector Pulsed (Icm) 75A
功率 - 最大 125W
Switching 能源 420µJ
输入 型 Standard
栅极电荷 55nC
Td(开/关)@ 25°C 30ns/105ns
测试条件 480V, 12A, 10 Ohm, 15V
反向恢复时间(trr) 31ns
包装材料 Tube
包/盒 TO-220-3
安装类型 Through Hole
供应商器件封装 TO-220
动态目录 Standard IGBTs###/catalog/en/partgroup/standard-igbts/17460?mpart=STGP19NC60KD&vendor=497&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称;
包装 3TO-220
配置 Single
最大集电极发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 35 A
最大栅极发射极电压 ±20 V
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
供应商封装形式 TO-220
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 35
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
包装宽度 4.6(Max)
标准包装名称 TO-220
包装高度 9.15(Max)
最大功率耗散 125000
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大集电极发射极电压 600
标签 Tab
PCB 3
包装长度 10.4(Max)
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Through Hole
栅极电荷 55nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 35A
安装类型 Through Hole
开关能量 420µJ
时间Td(开/关) @ 25°C 30ns/105ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.75V @ 15V, 12A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 TO-220
反向恢复时间(trr ) 31ns
功率 - 最大 125W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-220-3
测试条件 480V, 12A, 10 Ohm, 15V
其他名称 497-8439-5
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 75A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
产品种类 IGBT Transistors
连续集电极电流Ic最大 35 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
安装风格 Through Hole
功率耗散 125 W
最低工作温度 - 55 C
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 35 A
集电极 - 发射极电压 600 V
包装类型 TO-220
工作温度(最大) 150C
工作温度(最小值) -55C
工作温度分类 Military
Gate to Emitter Voltage (Max) �20 V
弧度硬化 No
集电极电流(DC ) 35 A
输入类型 Standard
系列 PowerMESH™
测试条件 480V, 12A, 10 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 75A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) 2.75V @ 15V, 12A
Td (on/off) A 25°C 30ns/105ns
封装/外壳 TO-220-3
反向恢复时间 (trr) 31ns
闸极电荷 55nC
功率 - 最大值 125W
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 35A
电压 - 集射极击穿(最大值) 600V
系列 600-650V IGBTs
工厂包装数量 1000
技术 Si
品牌 STMicroelectronics
Pd - Power Dissipation 125 W
身高 9.15 mm
长度 10.4 mm

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