stmicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-220 |
| 配置 | Single |
| 最大集电极发射极电压 | 600 V |
| 最大连续集电极电流 | 20 A |
| 最大栅极发射极电压 | ±20 V |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 供应商封装形式 | TO-220 |
| 最大栅极发射极电压 | ±20 |
| 最大连续集电极电流 | 20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| Package Width | 4.6(Max) |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| Package Height | 9.15(Max) |
| 最大功率耗散 | 65000 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tube |
| 最大集电极发射极电压 | 600 |
| 标签 | Tab |
| PCB | 3 |
| Package Length | 10.4(Max) |
| 最低工作温度 | -55 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 栅极电荷 | 19.2nC |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 20A |
| 安装类型 | Through Hole |
| 开关能量 | 126.8µJ |
| 时间Td（开/关） @ 25°C | 14.2ns/72ns |
| Vce（开） （最大值） Vge，Ic时 | 2.5V @ 15V, 5A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V |
| 供应商设备封装 | TO-220AB |
| 反向恢复时间（trr ） | 22ns |
| 功率 - 最大 | 65W |
| 输入类型 | Standard |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 测试条件 | 390V, 5A, 10 Ohm,15V |
| 其他名称 | 497-5118-5 |
| 电流 - 集电极脉冲（ ICM ） | 30A |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 栅极 - 射极漏泄电流 | 100 nA |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.9 V |
| 产品种类 | IGBT Transistors |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 连续集电极电流Ic最大 | 20 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 56 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 20 A |
| 集电极 - 发射极电压 | 600 V |
| 包装类型 | TO-220 |
| 工作温度（最大） | 150C |
| 工作温度（最小值） | -55C |
| 工作温度分类 | Military |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | �20 V |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极电流（DC ） | 20 A |
| 系列 | 600-650V IGBTs |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| Pd - Power Dissipation | 56 W |
| 身高 | 9.15 mm |
| 长度 | 10.4 mm |
| 技术 | Si |
| 连续集电极电流 | 7 A |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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