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厂商型号

STGP10NB60SD 

产品描述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

内部编号

390-STGP10NB60SD

生产厂商

stmicroelectronics

stm

#1

数量:74
1+¥26.543
10+¥23.8258
100+¥19.5217
500+¥16.6187
1000+¥14.0158
最小起订量:1
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STGP10NB60SD产品详细规格

规格书 STGP10NB60SD datasheet 规格书
STGP10NB60SD datasheet 规格书
STGP10NB60SD datasheet 规格书
文档 STGP10NB60SD View All Specifications
TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013
Rohs Lead free / RoHS Compliant
其他相关文件 STGP10NB60SD View All Specifications
标准包装 50
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 10A
- 集电极电流(Ic)(最大) 20A
功率 - 最大 31.5W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装材料 Tube
包装 3TO-220
配置 Single
最大集电极发射极电压 600 V
最大连续集电极电流 29 A
最大栅极发射极电压 ±20 V
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
供应商封装形式 TO-220
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 29
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
包装宽度 4.6(Max)
标准包装名称 TO-220
包装高度 9.15(Max)
最大功率耗散 80000
渠道类型 N
封装 Tube
最大集电极发射极电压 600
标签 Tab
PCB 3
包装长度 10.4(Max)
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Through Hole
单位包 50
最小起订量 1000
栅极电荷 33nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 20A
安装类型 Through Hole
开关能量 5.6mJ
时间Td(开/关) @ 25°C 700ns/1.2µs
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 1.7V @ 15V, 10A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 TO-220AB
反向恢复时间(trr ) 37ns
功率 - 最大 31.5W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-220-3
测试条件 480V, 10A, 1 kOhm, 15V
其他名称 497-5008-5
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 80A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 50
产品种类 IGBT Transistors
连续集电极电流Ic最大 20 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
安装风格 Through Hole
功率耗散 3.5 W
最低工作温度 - 65 C
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant

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