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厂商型号

STGP10NB60SFP 

产品描述

IGBT Transistors N-CH 10 A 600V PowerMESH

内部编号

390-STGP10NB60SFP

生产厂商

STMicroelectronics

stm

#1

数量:0
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美国费城
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STGP10NB60SFP产品详细规格

规格书 STGP10NB60SFP datasheet 规格书
STGP10NB60SFP
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 10A
- 集电极电流(Ic)(最大) 20A
功率 - 最大 25W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装 TO-220FP
包装材料 Tube
供应商封装形式 TO-220FP
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 23
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-220F
渠道类型 N
封装 Tube
最大集电极发射极电压 600
最大功率耗散 25000
最低工作温度 -55
引脚数 3
铅形状 Through Hole
栅极电荷 33nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 20A
安装类型 Through Hole
开关能量 5.6mJ
标准包装 1,000
时间Td(开/关) @ 25°C 700ns/1.2µs
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 1.7V @ 15V, 10A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 TO-220FP
功率 - 最大 25W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack
测试条件 480V, 10A, 1 kOhm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 80A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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