规格书 |
![]() MJD112,117 |
文档 |
Multiple Devices 21/Jan/2010 |
Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
产品更改通知 | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
标准包装 | 10 |
晶体管类型 | NPN - Darlington |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 2A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 100V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 3V @ 40mA, 4A |
电流 - 集电极截止(最大) | 20µA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 1000 @ 2A, 3V |
功率 - 最大 | 1.75W |
频率转换 | 25MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
包装材料 | Cut Tape (CT) |
最大的基射极饱和电压 | 4@40mA@4A |
安装 | Surface Mount |
最大集电极发射极饱和电压 | 2@8mA@2A|3@40mA@4A |
包装宽度 | 6.22(Max) |
PCB | 2 |
最大功率耗散 | 1750 |
类型 | NPN |
最大集电极发射极电压 | 100 |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 100 |
最低工作温度 | -65 |
供应商封装形式 | DPAK |
标准包装名称 | DPAK |
最高工作温度 | 150 |
Maximum Continuous DC Collector Current | 2 |
包装长度 | 6.73(Max) |
引脚数 | 3 |
最小直流电流增益 | 500@0.5A@3V|1000@2A@3V|200@4A@3V |
包装高度 | 2.38(Max) |
最大基地发射极电压 | 5 |
封装 | Tape and Reel |
标签 | Tab |
铅形状 | Gull-wing |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 2A |
晶体管类型 | NPN - Darlington |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 25MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 3V @ 40mA, 4A |
电流 - 集电极截止(最大) | 20µA |
标准包装 | 10 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 100V |
供应商设备封装 | DPAK-3 |
功率 - 最大 | 1.75W |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 1000 @ 2A, 3V |
其他名称 | MJD112T4OSCT |
RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
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