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厂商型号

MJD112T4 

产品描述

Transistors Darlington 2A 100V Bipolar

内部编号

277-MJD112T4

生产厂商

ON Semiconductor

ONSEMI

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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全场免运费 /报价不含任何销售税

MJD112T4产品详细规格

规格书 MJD112T4 datasheet 规格书
MJD112,117
文档 Multiple Devices 21/Jan/2010
Rohs Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知 Product Obsolescence 21/Jan/2010
标准包装 10
晶体管类型 NPN - Darlington
- 集电极电流(Ic)(最大) 2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 3V @ 40mA, 4A
电流 - 集电极截止(最大) 20µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 1000 @ 2A, 3V
功率 - 最大 1.75W
频率转换 25MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 DPAK-3
包装材料 Cut Tape (CT)
最大的基射极饱和电压 4@40mA@4A
安装 Surface Mount
最大集电极发射极饱和电压 2@8mA@2A|3@40mA@4A
包装宽度 6.22(Max)
PCB 2
最大功率耗散 1750
类型 NPN
最大集电极发射极电压 100
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 100
最低工作温度 -65
供应商封装形式 DPAK
标准包装名称 DPAK
最高工作温度 150
Maximum Continuous DC Collector Current 2
包装长度 6.73(Max)
引脚数 3
最小直流电流增益 500@0.5A@3V|1000@2A@3V|200@4A@3V
包装高度 2.38(Max)
最大基地发射极电压 5
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 2A
晶体管类型 NPN - Darlington
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 25MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 3V @ 40mA, 4A
电流 - 集电极截止(最大) 20µA
标准包装 10
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
供应商设备封装 DPAK-3
功率 - 最大 1.75W
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 1000 @ 2A, 3V
其他名称 MJD112T4OSCT
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant

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