图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MJD112,117 |
| 文档 |
Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 75 |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 2A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 3V @ 40mA, 4A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 20µA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 1000 @ 2A, 3V |
| 功率 - 最大 | 1.75W |
| 频率转换 | 25MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3DPAK |
| 配置 | Single |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 100 V |
| 峰值直流集电极电流 | 2 A |
| 最小直流电流增益 | 500@0.5A@3V|1000@2A@3V|200@4A@3V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2@8mA@2A|3@40mA@4A V |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 最大的基射极饱和电压 | 4@40mA@4A |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2@8mA@2A|3@40mA@4A |
| 包装宽度 | 6.22(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 1750 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 引脚数 | 3 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 100 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最高工作温度 | 150 |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 2 |
| 包装长度 | 6.73(Max) |
| 最大集电极发射极电压 | 100 |
| 包装高度 | 2.38(Max) |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| 封装 | Rail |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 2A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 25MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 3V @ 40mA, 4A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 20µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| 供应商设备封装 | DPAK-3 |
| 功率 - 最大 | 1.75W |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 1000 @ 2A, 3V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 产品种类 | Transistors Darlington |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 1000 |
| 集电极最大直流电流 | 2 A |
| 最大集电极截止电流 | 20 uA |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 20 W |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 100 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 2 A |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 4 A |
| 集电极 - 基极电压 | 100 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 100 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 2 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 包装类型 | DPAK |
| 极性 | NPN |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 基射极饱和电压（最大值） | 4 V |
| 弧度硬化 | No |
| 直流电流增益 | 500 |
| 集电极电流（DC ） | 2 A |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :100V |
| Transition Frequency ft | :25MHz |
| 功耗 | :1.75W |
| DC Collector Current | :2A |
| DC Current Gain hFE | :12000 |
| Operating Temperature Min | :-65°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-252 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Collector Emitter Voltage Vces | :2V |
| Complementary Device | :MJD117G |
| 连续集电极电流Ic最大 | :2A |
| Current Ic Continuous a Max | :4A |
| Current Ic hFE | :2A |
| Gain Bandwidth ft Typ | :25MHz |
| Hfe Min | :200 |
| 工作温度范围 | :-65°C to +150°C |
| Peak Current Icm | :4A |
| Power Dissipation Ptot Max | :20W |
| 端接类型 | :SMD |
| Voltage Vcbo | :100V |
| Weight (kg) | 0.04 |
| Tariff No. | 85412900 |
| Current,Gain | 12000 |
| Current,Input | 50mADC |
| Current,Output | 2ADC |
| PackageType | DPAK |
| PowerDissipation | 20W |
| PrimaryType | Si |
| Resistance,Thermal,JunctiontoAmbient | 71.4°C/W |
| Voltage,CollectortoEmitter,Saturation | 2V |
| Voltage,Input | 5V |
| Voltage,Output | 100V |
| associated | RE901 FK 244 13 D PAK FK 244 08 D PAK |
MJD112G也可以通过以下分类找到
MJD112G相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家