图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MJD112 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 2A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 3V @ 40mA, 4A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 20nA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 1000 @ 2A, 3V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 频率转换 | 25MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | NPN Transistors###/catalog/en/partgroup/npn-transistors/15044?mpart=MJD112-TP&vendor=353&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 安装 | Surface Mount |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2@8mA@2A|3@40mA@4A |
| 包装宽度 | 6.2(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| 类型 | NPN |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大集电极发射极电压 | 100 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 100 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最高工作温度 | 150 |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 2 |
| 包装长度 | 6.7(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 最小直流电流增益 | 500@500mA@3V|1000@2A@3V|200@4A@3V |
| 包装高度 | 2.4(Max) |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 2A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 25MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 3V @ 40mA, 4A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 20nA |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| 供应商设备封装 | D-Pak |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 1000 @ 2A, 3V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | MJD112-TPMSCT |
| 系列 | MJD112 |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 品牌 | Micro Commercial Components (MCC) |
| 晶体管极性 | NPN |
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