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数量:3825 |
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规格书 |
MJD112,117 |
文档 |
Multiple Devices 30/Jun/2006 |
Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
产品更改通知 | Discontinuation 30/Jun/2006 |
标准包装 | 75 |
晶体管类型 | NPN - Darlington |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 2A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 100V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 3V @ 40mA, 4A |
电流 - 集电极截止(最大) | 20µA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 1000 @ 2A, 3V |
功率 - 最大 | 1.75W |
频率转换 | 25MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
供应商器件封装 | I-Pak |
包装材料 | Tube |
最大的基射极饱和电压 | 4@40mA@4A |
供应商封装形式 | IPAK |
最小直流电流增益 | 500@0.5A@3V|1000@2A@3V|200@4A@3V |
最高工作温度 | 150 |
最大集电极发射极电压 | 100 |
最大基地发射极电压 | 5 |
封装 | Rail |
最大集电极发射极饱和电压 | 2@8mA@2A|3@40mA@4A |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 100 |
Maximum Continuous DC Collector Current | 2 |
最低工作温度 | -65 |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
最大功率耗散 | 1750 |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 2A |
晶体管类型 | NPN - Darlington |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 25MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 3V @ 40mA, 4A |
电流 - 集电极截止(最大) | 20µA |
标准包装 | 75 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 100V |
供应商设备封装 | I-Pak |
功率 - 最大 | 1.75W |
封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 1000 @ 2A, 3V |
其他名称 | MJD112-001OS |
RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
频率 - 跃迁 | 25MHz |
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) | 3V @ 40mA, 4A |
晶体管类型 | NPN - Darlington |
电流 - 集电极截止(最大值) | 20µA |
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 1000 @ 2A, 3V |
封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
功率 - 最大值 | 1.75W |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 100V |
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