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规格书 |
APTM50DSK10T3G Power Products Catalog |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 1 |
FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 500V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 37A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 120 mOhm @ 18.5A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 5V @ 1mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 96nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 4367pF @ 25V |
功率 - 最大 | 312W |
安装类型 | Chassis Mount |
包/盒 | SP3 |
供应商器件封装 | SP3 |
包装材料 | Bulk |
包装 | 32Case SP3 |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 500 V |
最大连续漏极电流 | 37 A |
RDS -于 | 120@10V mOhm |
最大门源电压 | ±30 V |
典型导通延迟时间 | 15 ns |
典型上升时间 | 21 ns |
典型关闭延迟时间 | 73 ns |
典型下降时间 | 52 ns |
工作温度 | -40 to 150 °C |
安装 | Screw |
标准包装 | Bulk |
FET特点 | Standard |
封装 | Bulk |
安装类型 | Chassis Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 37A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 5V @ 1mA |
供应商设备封装 | SP3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 120 mOhm @ 18.5A, 10V |
FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
功率 - 最大 | 312W |
漏极至源极电压(Vdss) | 500V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 4367pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 96nC @ 10V |
封装/外壳 | SP3 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
品牌 | Microsemi |
RoHS | RoHS Compliant |
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