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厂商型号

APTM50AM24SG 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 500V 150A 7-Pin SP6

内部编号

253-APTM50AM24SG

生产厂商

microsemi

microsemi

#1

数量:41
1+¥1257.3699
10+¥1196.6632
25+¥1153.3045
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APTM50AM24SG产品详细规格

规格书 APTM50AM24SG datasheet 规格书
APTM50AM24SG datasheet 规格书
Power Products Catalog
APTM50AM24SG
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1
FET 型 2 N-Channel (Half Bridge)
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 500V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 150A
Rds(最大)@ ID,VGS 28 mOhm @ 75A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5V @ 6mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 434nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 19600pF @ 25V
功率 - 最大 1250W
安装类型 Chassis Mount
包/盒 SP6
供应商器件封装 SP6
包装材料 Bulk
包装 7SP6
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 500 V
最大连续漏极电流 150 A
RDS -于 28@10V mOhm
最大门源电压 ±30 V
典型导通延迟时间 10 ns
典型上升时间 17 ns
典型关闭延迟时间 50 ns
典型下降时间 41 ns
工作温度 -40 to 150 °C
安装 Screw
标准包装 Bulk
FET特点 Standard
封装 Bulk
安装类型 Chassis Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 150A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 6mA
供应商设备封装 SP6
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 28 mOhm @ 75A, 10V
FET型 2 N-Channel (Half Bridge)
功率 - 最大 1250W
漏极至源极电压(Vdss) 500V
输入电容(Ciss ) @ VDS 19600pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 434nC @ 10V
封装/外壳 SP6
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
连续漏极电流 150 A
栅源电压(最大值) �30 V
功率耗散 1250 W
工作温度范围 -40C to 150C
引脚数 7
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 2
工作温度分类 Automotive
漏源导通电压 500 V
弧度硬化 No
品牌 Microsemi
RoHS RoHS Compliant

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