图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 APTM50DHM65T3G |
| 包装 | 16Case SP-3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 最大连续漏极电流 | 51 A |
| RDS -于 | 78@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 60 ns |
| 典型上升时间 | 70 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 155 ns |
| 典型下降时间 | 50 ns |
| 工作温度 | -40 to 150 °C |
| 安装 | Screw |
| 标准包装 | Bulk |
| 系列 | * |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Bulk |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 2.5mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 供应商设备封装 | SP3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 78 mOhm @ 42A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Asymmetrical Bridge) |
| 功率 - 最大 | 390W |
| 封装/外壳 | SP3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 10800pF @ 25V |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 51A |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 340nC @ 10V |
| 品牌 | Microsemi |
| RoHS | RoHS Compliant |
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