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厂商型号

APTM50AM38FTG 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 500V 90A 20-Pin Case SP4

内部编号

253-APTM50AM38FTG

生产厂商

microsemi

microsemi

#1

数量:11
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APTM50AM38FTG产品详细规格

规格书 APTM50AM38FTG datasheet 规格书
APTM50AM38FTG datasheet 规格书
APTM50AM38FTG
Power Products Catalog
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1
FET 型 2 N-Channel (Half Bridge)
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 500V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 90A
Rds(最大)@ ID,VGS 45 mOhm @ 45A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5V @ 5mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 246nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 11200pF @ 25V
功率 - 最大 694W
安装类型 Chassis Mount
包/盒 SP4
供应商器件封装 SP4
包装材料 Bulk
包装 20Case SP4
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 500 V
最大连续漏极电流 90 A
RDS -于 45@10V mOhm
最大门源电压 ±30 V
典型导通延迟时间 18 ns
典型上升时间 35 ns
典型关闭延迟时间 87 ns
典型下降时间 77 ns
工作温度 -40 to 150 °C
安装 Screw
标准包装 Bulk
FET特点 Standard
封装 Bulk
安装类型 Chassis Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 90A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 5mA
漏极至源极电压(Vdss) 500V
供应商设备封装 SP4
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 45 mOhm @ 45A, 10V
FET型 2 N-Channel (Half Bridge)
功率 - 最大 694W
输入电容(Ciss ) @ VDS 11200pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 246nC @ 10V
封装/外壳 SP4
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
品牌 Microsemi
RoHS RoHS Compliant

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