图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 标准包装 | 20 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 频率 | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| 增益 | 18.5dB |
| 电压 - Test | 28V |
| 当前 Rating | 3.1A |
| 噪声系数 | - |
| 当前 - Test | 100mA |
| Power - 输出功率 | 700mW |
| 电压 - 额定 | 65V |
| 包/盒 | SOT-538A |
| 供应商器件封装 | 2-CDIP |
| 包装材料 | Tray |
| 动态目录 | RF HEMT, HFET, LDMOS FETs###/catalog/en/partgroup/rf-hemt-hfet-ldmos-fets/17295?mpart=BLF6G21-10G,112&vendor=568&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 包装 | 3CDIP SMD |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 65 V |
| RDS -于 | 400(Typ)@6.15V mOhm |
| 最大门源电压 | -0.5|13 V |
| 工作温度 | -65 to 225 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 供应商封装形式 | CDIP SMD |
| 标准包装名称 | CDIP SMD |
| 最大频率 | 2170 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 225 |
| 输出功率 | 10 |
| Typical Drain Efficiency | 31 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Blister |
| 最大漏源电阻 | 400(Typ)@6.15V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 典型功率增益 | 19.3 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大漏源电压 | 65 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 电压 - 额定 | 65V |
| 供应商设备封装 | 2-CDIP |
| 电压 - 测试 | 28V |
| 频率 | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| 增益 | 18.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-538A |
| 电流 - 测试 | 100mA |
| 额定电流 | 3.1A |
| 功率 - 输出 | 700mW |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 20 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | 13 V |
| 连续漏极电流 | 3.1 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 输出功率 | 0.7 W |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 65 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
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