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厂商型号

BLF6G10-200RN,112 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 65V 49A 3-Pin LDMOST Blister

内部编号

229-BLF6G10-200RN-112

生产厂商

nxp semiconductors

NXP

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BLF6G10-200RN,112产品详细规格

规格书 BLF6G10-200RN,112 datasheet 规格书
BLF6G10-200RN,112 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 20
晶体管类型 LDMOS
频率 871.5MHz ~ 891.5MHz
增益 20dB
电压 - 测试 28V
额定电流 49A
噪声系数 -
电流 - 测试 1.4A
Power - 输出功率 40W
电压 - 额定 65V
包/盒 SOT-502A
供应商器件封装 LDMOST
包装材料 Tray
包装 3LDMOST
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 65 V
最大连续漏极电流 49 A
RDS -于 93@6.15V mOhm
最大门源电压 13 V
工作温度 -65 to 225 °C
安装 Screw
标准包装 Rail / Tube
晶体管类型 LDMOS
电压 - 额定 65V
供应商设备封装 LDMOST
电压 - 测试 28V
封装 Tray
频率 871.5MHz ~ 891.5MHz
增益 20dB
封装/外壳 SOT-502A
电流 - 测试 1.4A
额定电流 49A
功率 - 输出 40W
其他名称 934063283112
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 20
RoHS RoHS Compliant

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