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厂商型号

BLF6G10-45,135 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 65V 13A 3-Pin CDFM T/R

内部编号

229-BLF6G10-45-135

生产厂商

nxp semiconductors

nxp

#1

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美国加州
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BLF6G10-45,135产品详细规格

规格书 BLF6G10-45,135 datasheet 规格书
BLF6G10-45,135 datasheet 规格书
标准包装 300
晶体管类型 LDMOS
频率 922.5MHz ~ 957.5MHz
增益 22.5dB
电压 - Test 28V
当前 Rating 13A
噪声系数 -
当前 - Test 350mA
Power - 输出功率 1W
电压 - 额定 65V
包/盒 SOT-608A
供应商器件封装 CDFM2
包装材料 Tape & Reel (TR);;其他的名称;
包装 3CDFM
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 65 V
最大连续漏极电流 13 A
RDS -于 200(Typ)@6.1V mOhm
最大门源电压 -0.5|13 V
工作温度 -65 to 225 °C
安装 Screw
标准包装 Tape & Reel
晶体管类型 LDMOS
电压 - 额定 65V
供应商设备封装 CDFM2
电压 - 测试 28V
封装 Tape & Reel (TR)
频率 922.5MHz ~ 957.5MHz
增益 22.5dB
封装/外壳 SOT-608A
电流 - 测试 350mA
额定电流 13A
功率 - 输出 1W
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 300
产品种类 Transistors RF MOSFET
晶体管极性 N-Channel
配置 Single
源极击穿电压 - 0.5 V, 13 V
连续漏极电流 13 A
安装风格 SMD/SMT
RDS(ON) 200 mOhms
最低工作温度 - 65 C
零件号别名 /T3 BLF6G10-45
产品类型 MOSFET Power
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 65 V
RoHS RoHS Compliant

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