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厂商型号

BLF6G10-160RN,112 

产品描述

Transistors RF MOSFET Power Trans MOSFET N-CH 65V 39A 3-Pin

内部编号

229-BLF6G10-160RN-112

生产厂商

NXP Semiconductors

nxp

#1

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美国加州
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BLF6G10-160RN,112产品详细规格

规格书 BLF6G10-160RN,112 datasheet 规格书
BLF6G10(LS)-160RN
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 20
晶体管类型 LDMOS
频率 922.5MHz ~ 957.5MHz
增益 22.5dB
电压 - 测试 32V
额定电流 39A
噪声系数 -
电流 - 测试 1.2A
Power - 输出功率 32W
电压 - 额定 65V
包/盒 SOT-502A
供应商器件封装 LDMOST
包装材料 Tray
晶体管类型 LDMOS
电压 - 额定 65V
标准包装 20
供应商设备封装 LDMOST
电压 - 测试 32V
封装 Tray
频率 922.5MHz ~ 957.5MHz
增益 22.5dB
封装/外壳 SOT-502A
电流 - 测试 1.2A
额定电流 39A
功率 - 输出 32W
工厂包装数量 20
晶体管极性 N-Channel
源极击穿电压 +/- 13 V
连续漏极电流 39 A
安装风格 SMD/SMT
输出功率 32 W
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 65 V
RoHS RoHS Compliant

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