图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IXTA220N075T7 

产品描述

MOSFET 220 Amps 75V 4.0 Rds

内部编号

184-IXTA220N075T7

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:0
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IXTA220N075T7产品详细规格

规格书 IXTA220N075T7 datasheet 规格书
IXTA220N075T7
文档 IXT Series 30/Oct/2012
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 75V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 220A
Rds(最大)@ ID,VGS 4.5 mOhm @ 25A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 165nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 7700pF @ 25V
功率 - 最大 480W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
供应商器件封装 TO-263-7
包装材料 Tube
标准包装名称 D2PAK
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
包装宽度 9.4(Max)
通道模式 Enhancement
最低工作温度 -55
包装高度 4.7(Max)
安装 Surface Mount
最大功率耗散 480000
渠道类型 N
最大漏源电阻 4.5@10V
最大漏源电压 75
每个芯片的元件数 1
标签 Tab
供应商封装形式 TO-263
包装长度 10.2(Max)
PCB 6
最大连续漏极电流 220
引脚数 7
铅形状 Gull-wing
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 220A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 75V
标准包装 50
供应商设备封装 TO-263-7
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 4.5 mOhm @ 25A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 480W
封装/外壳 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
输入电容(Ciss ) @ VDS 7700pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 165nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

IXTA220N075T7系列产品

IXTA220N075T7相关搜索

订购IXTA220N075T7.产品描述:MOSFET 220 Amps 75V 4.0 Rds. 生产商: IXYS.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-57196138
    010-82149008
    010-62155488
    010-82149921
    010-82149488
  • 深圳
  • 0755-83997440
    0755-83247615
    0755-83975736
    0755-82511472
  • 苏州
  • 0512-67687578
    0512-68796728
    0512-67684200
    0512-67683728
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com