规格书 |
IXT(Y,A,P)08N100D2 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Depletion Mode |
漏极至源极电压(VDSS) | 1000V (1kV) |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 800mA |
Rds(最大)@ ID,VGS | 21 Ohm @ 400mA, 0V |
VGS(TH)(最大)@ Id | - |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 14.6nC @ 5V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 325pF @ 25V |
功率 - 最大 | 60W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 | TO-263AA |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Depletion Mode |
封装 | Tube |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 800mA (Tc) |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商设备封装 | TO-263AA |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 21 Ohm @ 400mA, 0V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 60W |
标准包装 | 50 |
漏极至源极电压(Vdss) | 1000V (1kV) |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 325pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 14.6nC @ 5V |
工厂包装数量 | 50 |
系列 | IXTA08N100 |
单位重量 | 0.056438 oz |
RoHS | RoHS Compliant |
漏源极电压 (Vdss) | 1000V (1kV) |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 325pF @ 25V |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) | 21 Ohm @ 400mA, 0V |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 14.6nC @ 5V |
FET 功能 | Depletion Mode |
FET 类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
功率 - 最大值 | 60W |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1000 V |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
品牌 | IXYS |
Id - Continuous Drain Current | 800 mA |
安装风格 | SMD/SMT |
通道数 | 1 Channel |
Rds On - Drain-Source Resistance | 21 Ohms |
晶体管极性 | N-Channel |
技术 | Si |
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