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| 规格书 |
 IXT(A,P)130N065T2 |
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 65V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 130A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 6.6 mOhm @ 50A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 79nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 4800pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 250W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | TO-263 |
| 包装材料 | Tube |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 130A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 65V |
| 标准包装 | 50 |
| 供应商设备封装 | TO-263 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 6.6 mOhm @ 50A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 250W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4800pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 79nC @ 10V |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 系列 | IXTA130N065 |
| 单位重量 | 0.056438 oz |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 65 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 品牌 | IXYS |
| Id - Continuous Drain Current | 130 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6.6 mOhms |
| 技术 | Si |
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