图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 IXT(A,P,Y)08N100P |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 1000V (1kV) |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 800mA |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 20 Ohm @ 500mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 50µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 11.3nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 240pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 42W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | TO-263 |
| 包装材料 | Tube |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Surface Mount |
| 包装宽度 | 9.65(Max) |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 42000 |
| 最大漏源电压 | 1000 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 20000@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-263 |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 10.41(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 4.83(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 0.8 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 800mA (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 50µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 1000V (1kV) |
| 标准包装 | 50 |
| 供应商设备封装 | TO-263 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 20 Ohm @ 500mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 42W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 240pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 11.3nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 0.8 A |
| 系列 | IXTA08N100 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 20 Ohms |
| 功率耗散 | 42 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 上升时间 | 37 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 1000 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 34 ns |
| 极性 | N |
| Closing resistance | 20 Ohm |
| Recovery time | 750 nstyp |
| Drain current | 0.8 A |
| Power dissipation | 42 |
| Operating temperature | -55...150 °C |
| Housing type | TO-263 |
| Drain source voltage | 1000 V |
| Variants | Enhancement mode |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1000 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 宽度 | 9.65 mm |
| 品牌 | IXYS |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 800 mA |
| 长度 | 10.41 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 20 Ohms |
| 身高 | 4.83 mm |
| 典型导通延迟时间 | 19 ns |
| Pd - Power Dissipation | 42 W |
| 技术 | Si |
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