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厂商型号

IXTA220N055T7 

产品描述

MOSFET 220 Amps 55V 3.6 Rds

内部编号

184-IXTA220N055T7

生产厂商

IXYS

ixys

#1

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IXTA220N055T7产品详细规格

规格书 IXTA220N055T7 datasheet 规格书
IXTA220N055T7
文档 IXT Series 30/Oct/2012
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 55V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 220A
Rds(最大)@ ID,VGS 4 mOhm @ 25A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 158nc @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 7200pF @ 25V
功率 - 最大 430W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
供应商器件封装 TO-263-7
包装材料 Tube
标准包装名称 D2PAK
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
包装宽度 9.4(Max)
通道模式 Enhancement
最低工作温度 -55
包装高度 4.7(Max)
安装 Surface Mount
最大功率耗散 430000
渠道类型 N
最大漏源电阻 4@10V
最大漏源电压 55
每个芯片的元件数 1
标签 Tab
供应商封装形式 TO-263
包装长度 10.2(Max)
PCB 6
最大连续漏极电流 220
引脚数 7
铅形状 Gull-wing
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 220A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 55V
标准包装 50
供应商设备封装 TO-263-7
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 4 mOhm @ 25A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 430W
封装/外壳 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
输入电容(Ciss ) @ VDS 7200pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 158nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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