IXFX360N10T

产品描述

MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A

内部编号

生产厂商

数量:30

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美国加州
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规格书	IXF(K,X)360N10T
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	30
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Standard
漏极至源极电压（VDSS）	100V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	360A
Rds（最大）@ ID，VGS	2.9 mOhm @ 100A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	5V @ 3mA
栅极电荷（Qg）@ VGS	525nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	33000pF @ 25V
功率 - 最大	1250W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-247-3
供应商器件封装	PLUS247™-3
包装材料	Tube
FET特点	Standard
封装	Tube
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	360A (Tc)
的Vgs（th ）（最大）@ Id	5V @ 3mA
漏极至源极电压（Vdss）	100V
标准包装	30
供应商设备封装	PLUS247™-3
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	2.9 mOhm @ 100A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	1250W
封装/外壳	TO-247-3
输入电容（Ciss ） @ VDS	33000pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	525nC @ 10V
工厂包装数量	30
系列	IXFX360N10
商品名	HiPerFET
RoHS	RoHS Compliant
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
晶体管极性	N-Channel
Rds On - Drain-Source Resistance	2.9 mOhms
品牌	IXYS
Id - Continuous Drain Current	360 A
安装风格	Through Hole
技术	Si

型号	厂家	产品描述
IXFX360N15T2	Ixys	Power Driver ICs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
IXFX100N25	IXYS	MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds
IXFX120N20	IXYS	MOSFET 200V 120A
IXFX120N25	IXYS	MOSFET 120 Amps 250V 0.022 Rds
IXFX120N25P	IXYS	MOSFET 120 Amps 250 V 0.24 Ohm Rds
IXFX120N30T	IXYS	MOSFET 120V 300V
IXFX12N90Q	IXYS	MOSFET 12 Amps 900V 0.9W Rds
IXFX140N25T	IXYS	MOSFET 140A 250V
IXFX140N30P	IXYS	MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
IXFX14N100	IXYS	MOSFET 14 Amps 1000V 0.75 Rds
IXFX150N15	IXYS	MOSFET 150 Amps 150V 0.0125 Rds
IXFX15N100	IXYS	MOSFET 1KV 15A
IXFX160N30T	IXYS	MOSFET 160A 300V
IXFX170N20P	IXYS	MOSFET Polar HiperFET Power MOSFET
IXFX170N20T	IXYS	MOSFET 170A 200V
IXFX180N07	IXYS	MOSFET 70V 180A
IXFX180N085	IXYS	MOSFET 180 Amps 85V 0.007 Rds
IXFX180N10	IXYS	MOSFET 100V 180A
IXFX180N15P	IXYS	MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Ohm Rds
IXFX180N25T	IXYS	MOSFET 180A 250V

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