所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 170A (Tc) |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 5V @ 4mA |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 供应商设备封装 | PLUS247™-3 |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 11 mOhm @ 60A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1150W |
| 标准包装 | 30 |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 19600pF @ 25V |
| 闸电荷(Qg ) @ VGS | 265nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 系列 | IXFX170N20 |
| 单位重量 | 0.257500 oz |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 品牌 | IXYS |
| Id - Continuous Drain Current | 170 A |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 技术 | Si |
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