图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 IXF(K,X)120N30T |
| 特色产品 | |
| 标准包装 | 30 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 300V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 120A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 24 mOhm @ 60A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 4mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 265nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 20000pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 960W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | PLUS247™-3 |
| 包装材料 | Tube |
| 动态目录 | N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16390?mpart=IXFX120N30T&vendor=238&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0 |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装宽度 | 5.21(Max) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | PLUS 247 |
| 包装高度 | 21.34(Max) |
| 安装 | Through Hole |
| 最大功率耗散 | 960000 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 24@10V |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大漏源电压 | 300 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 标签 | Tab |
| 供应商封装形式 | PLUS 247 |
| 包装长度 | 16.13(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大连续漏极电流 | 120 |
| 引脚数 | 3 |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 120A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 4mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 300V |
| 供应商设备封装 | PLUS247™-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 24 mOhm @ 60A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 960W |
| 标准包装 | 30 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 20000pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 265nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 120 A |
| 封装/外壳 | PLUS 247-3 |
| 下降时间 | 23 ns |
| 单位重量 | 0.257500 oz |
| 商品名 | GigaMOS |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 正向跨导 - 闵 | 70 s |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 87 ns |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 系列 | IXFX120N30 |
| RDS（ON） | 24 mOhms |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 960 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 31 ns |
| 漏源击穿电压 | 300 V |
| 栅极电荷Qg | 265 nC |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 300 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V |
| 宽度 | 5.21 mm |
| Qg - Gate Charge | 265 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 类型 | GigaMOS Power MOSFET |
| 品牌 | IXYS |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 120 A |
| 长度 | 16.13 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 24 mOhms |
| 身高 | 21.34 mm |
| 典型导通延迟时间 | 32 ns |
| Pd - Power Dissipation | 960 W |
| 技术 | Si |
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