1. IXFX140N30P
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IXFX140N30P 

产品描述

MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds

内部编号

184-IXFX140N30P

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:8
1+¥108.7878
10+¥91.2833
100+¥86.0183
250+¥78.36
500+¥73.3001
1000+¥67.283
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
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#2

数量:247
1+¥130.7592
10+¥118.8847
25+¥109.969
100+¥101.052
250+¥92.1358
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IXFX140N30P产品详细规格

规格书 IXFX140N30P datasheet 规格书
IXF(K,X)140N30P
IXFX140N30P datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 30
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 300V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 140A
Rds(最大)@ ID,VGS 24 mOhm @ 70A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5V @ 8mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 185nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 14800pF @ 25V
功率 - 最大 1040W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-247-3
供应商器件封装 PLUS247™-3
包装材料 Tube
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
包装宽度 5.21(Max)
通道模式 Enhancement
标准包装名称 PLUS 247
包装高度 21.34(Max)
安装 Through Hole
最大功率耗散 1040000
渠道类型 N
最大漏源电阻 24@10V
最低工作温度 -55
最大漏源电压 300
每个芯片的元件数 1
标签 Tab
供应商封装形式 PLUS 247
包装长度 16.13(Max)
PCB 3
最大连续漏极电流 140
引脚数 3
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 140A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 8mA
漏极至源极电压(Vdss) 300V
供应商设备封装 PLUS247™-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 24 mOhm @ 70A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1040W
标准包装 30
输入电容(Ciss ) @ VDS 14800pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 185nC @ 10V
封装/外壳 TO-247-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 30
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 140 A
封装/外壳 PLUS 247-3
下降时间 20 ns
安装风格 Through Hole
商品名 Polar, HiPerFET
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
正向跨导 - 闵 50 s
RoHS RoHS Compliant
典型关闭延迟时间 100 ns
源极击穿电压 +/- 20 V
系列 IXFX140N30
RDS(ON) 24 mOhms
功率耗散 1.04 kW
最低工作温度 - 55 C
上升时间 30 ns
漏源击穿电压 300 V
栅极电荷Qg 185 nC
栅源电压(最大值) �20 V
漏源导通电阻 0.024 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 PLUS 247
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏源导通电压 300 V
弧度硬化 No
删除 Compliant
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 300 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 5 V
宽度 5.21 mm
Qg - Gate Charge 185 nC
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
品牌 IXYS
通道数 1 Channel
晶体管类型 1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current 140 A
长度 16.13 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 24 mOhms
身高 21.34 mm
典型导通延迟时间 30 ns
Pd - Power Dissipation 1.04 kW
技术 Si

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