图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 IXFN160N30T |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 10 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 300V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 130A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 19 mOhm @ 60A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 5V @ 8mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 335nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 28000pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 900W |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 包/盒 | SOT-227-4, miniBLOC |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 包装材料 | Tube |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 130A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 8mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 300V |
| 供应商设备封装 | SOT-227B |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 19 mOhm @ 60A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 900W |
| 标准包装 | 10 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 28000pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 335nC @ 10V |
| 封装/外壳 | SOT-227-4, miniBLOC |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 130 A |
| 封装/外壳 | SOT-227B-4 |
| 下降时间 | 25 ns |
| 单位重量 | 1.340411 oz |
| 商品名 | GigaMOS |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 正向跨导 - 闵 | 100 s |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 105 ns |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 系列 | IXFN160N30 |
| RDS（ON） | 19 mOhms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 900 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 38 ns |
| 漏源击穿电压 | 300 V |
| 栅极电荷Qg | 335 nC |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 300 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 5 V |
| 宽度 | 25.42 mm |
| Qg - Gate Charge | 335 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 类型 | GigaMOS Power MOSFET |
| 品牌 | IXYS |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 130 A |
| 长度 | 38.23 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 19 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 身高 | 12.22 mm |
| 典型导通延迟时间 | 37 ns |
| Pd - Power Dissipation | 900 W |
| 技术 | Si |
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