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规格书 |
![]() IXFN150N15 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 10 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 150V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 150A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 12.5 mOhm @ 75A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 8mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 360nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 9100pF @ 25V |
功率 - 最大 | 600W |
安装类型 | Chassis Mount |
包/盒 | SOT-227-4, miniBLOC |
供应商器件封装 | SOT-227B |
包装材料 | Tube |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
通道模式 | Enhancement |
标准包装名称 | SOT-227 |
安装 | Screw |
最大功率耗散 | 600000 |
渠道类型 | N |
最大漏源电阻 | 12.5@10V |
最低工作温度 | -55 |
最大漏源电压 | 150 |
每个芯片的元件数 | 1 |
包装宽度 | 25.42(Max) |
供应商封装形式 | SOT-227B |
包装长度 | 38.23(Max) |
PCB | 4 |
最大连续漏极电流 | 150 |
引脚数 | 4 |
铅形状 | Screw |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Chassis Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 150A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 8mA |
漏极至源极电压(Vdss) | 150V |
供应商设备封装 | SOT-227B |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 12.5 mOhm @ 75A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 600W |
标准包装 | 10 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 9100pF @ 25V |
其他名称 | Q3181657 |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 360nC @ 10V |
封装/外壳 | SOT-227-4, miniBLOC |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
类别 | Power MOSFET |
配置 | Dual Source, Single |
外形尺寸 | 38.2 x 25.07 x 9.6mm |
身高 | 9.6mm |
长度 | 38.2mm |
最大连续漏极电流 | 150 A |
最大漏源电阻 | 0.013 Ω |
最大漏源电压 | 150 V |
最大门源电压 | ±20 V |
最高工作温度 | +150 °C |
最大功率耗散 | 600 W |
最低工作温度 | -55 °C |
包装类型 | SOT-227B |
典型栅极电荷@ VGS | 360 nC V @ 10 |
典型输入电容@ VDS | 9100 pF V @ 25 |
典型关闭延迟时间 | 110 ns |
典型导通延迟时间 | 50 ns |
宽度 | 25.07mm |
工厂包装数量 | 10 |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 150 A |
封装/外壳 | SOT-227B |
下降时间 | 45 ns |
产品种类 | MOSFET |
单位重量 | 1.340411 oz |
正向跨导 - 闵 | 75 s |
RoHS | RoHS Compliant |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
系列 | IXFN150N15 |
RDS(ON) | 12.5 mOhms |
安装风格 | SMD/SMT |
功率耗散 | 600 W |
上升时间 | 60 ns |
漏源击穿电压 | 150 V |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 150 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
品牌 | IXYS |
通道数 | 1 Channel |
商品名 | HyperFET |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 150 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 12.5 mOhms |
Pd - Power Dissipation | 600 W |
技术 | Si |
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