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厂商型号

IXFN100N10S3 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 100V 100A 4-Pin SOT-227B

内部编号

184-IXFN100N10S3

生产厂商

IXYS

ixys

#1

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IXFN100N10S3产品详细规格

规格书 IXFN100N10S3 datasheet 规格书
IXFN100N10S1/2/3
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 10
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 100A
Rds(最大)@ ID,VGS 15 mOhm @ 500mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 4mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 180nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 4500pF @ 25V
功率 - 最大 360W
安装类型 Chassis Mount
包/盒 SOT-227-4, miniBLOC
供应商器件封装 SOT-227B
包装材料 Tube
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
通道模式 Enhancement
标准包装名称 SOT-227
安装 Screw
最大功率耗散 360000
渠道类型 N
最大漏源电阻 15@10V
最低工作温度 -40
最大漏源电压 100
每个芯片的元件数 1
包装宽度 25.42(Max)
供应商封装形式 SOT-227B
包装长度 38.23(Max)
PCB 4
最大连续漏极电流 100
引脚数 4
铅形状 Screw
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Chassis Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 100A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 4mA
漏极至源极电压(Vdss) 100V
供应商设备封装 SOT-227B
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 15 mOhm @ 500mA, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 360W
标准包装 10
输入电容(Ciss ) @ VDS 4500pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 180nC @ 10V
封装/外壳 SOT-227-4, miniBLOC
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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