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规格书 |
IXFN100N10S1/2/3 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 10 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 100A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 15 mOhm @ 500mA, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 4mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 180nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 4500pF @ 25V |
功率 - 最大 | 360W |
安装类型 | Chassis Mount |
包/盒 | SOT-227-4, miniBLOC |
供应商器件封装 | SOT-227B |
包装材料 | Tube |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
通道模式 | Enhancement |
标准包装名称 | SOT-227 |
安装 | Screw |
最大功率耗散 | 360000 |
渠道类型 | N |
最大漏源电阻 | 15@10V |
最低工作温度 | -40 |
最大漏源电压 | 100 |
每个芯片的元件数 | 1 |
包装宽度 | 25.42(Max) |
供应商封装形式 | SOT-227B |
包装长度 | 38.23(Max) |
PCB | 4 |
最大连续漏极电流 | 100 |
引脚数 | 4 |
铅形状 | Screw |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Chassis Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 100A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 4mA |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
供应商设备封装 | SOT-227B |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 15 mOhm @ 500mA, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 360W |
标准包装 | 10 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 4500pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 180nC @ 10V |
封装/外壳 | SOT-227-4, miniBLOC |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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