图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 IXFN130N30 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 10 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 300V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 130A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 22 mOhm @ 500mA, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 8mA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 380nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 14500pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 700W |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 包/盒 | SOT-227-4, miniBLOC |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 包装材料 | Tube |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 标准包装名称 | SOT-227 |
| 安装 | Screw |
| 最大功率耗散 | 700000 |
| 渠道类型 | N |
| 最大漏源电阻 | 22@10V |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大漏源电压 | 300 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装宽度 | 25.42(Max) |
| 供应商封装形式 | SOT-227B |
| 包装长度 | 38.23(Max) |
| PCB | 4 |
| 最大连续漏极电流 | 130 |
| 引脚数 | 4 |
| 铅形状 | Screw |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 130A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 8mA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 300V |
| 供应商设备封装 | SOT-227B |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 22 mOhm @ 500mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 700W |
| 标准包装 | 10 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 14500pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 380nC @ 10V |
| 封装/外壳 | SOT-227-4, miniBLOC |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 130 A |
| 封装/外壳 | SOT-227B |
| 下降时间 | 31 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 单位重量 | 1.340411 oz |
| 配置 | Single Dual Source |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 正向跨导 - 闵 | 92 s |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 130 ns |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 系列 | IXFN130N30 |
| RDS（ON） | 22 mOhms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 700 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 75 ns |
| 漏源击穿电压 | 300 V |
| 案例 | SOT227B |
| Transistor type | N-MOSFET |
| Drain-source voltage | 300V |
| 功率 | 700W |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 130A |
| Multiplicity | 1 |
| Gross weight | 0.05 kg |
| On-state resistance | 18mΩ |
| Schematic diagram | see |
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