规格书 |
![]() IXFN130N30 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 10 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 300V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 130A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 22 mOhm @ 500mA, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 8mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 380nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 14500pF @ 25V |
功率 - 最大 | 700W |
安装类型 | Chassis Mount |
包/盒 | SOT-227-4, miniBLOC |
供应商器件封装 | SOT-227B |
包装材料 | Tube |
最大门源电压 | ±20 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
通道模式 | Enhancement |
标准包装名称 | SOT-227 |
安装 | Screw |
最大功率耗散 | 700000 |
渠道类型 | N |
最大漏源电阻 | 22@10V |
最低工作温度 | -55 |
最大漏源电压 | 300 |
每个芯片的元件数 | 1 |
包装宽度 | 25.42(Max) |
供应商封装形式 | SOT-227B |
包装长度 | 38.23(Max) |
PCB | 4 |
最大连续漏极电流 | 130 |
引脚数 | 4 |
铅形状 | Screw |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Chassis Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 130A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 4V @ 8mA |
漏极至源极电压(Vdss) | 300V |
供应商设备封装 | SOT-227B |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 22 mOhm @ 500mA, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 700W |
标准包装 | 10 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 14500pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 380nC @ 10V |
封装/外壳 | SOT-227-4, miniBLOC |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 10 |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 130 A |
封装/外壳 | SOT-227B |
下降时间 | 31 ns |
产品种类 | MOSFET |
单位重量 | 1.340411 oz |
配置 | Single Dual Source |
最高工作温度 | + 150 C |
正向跨导 - 闵 | 92 s |
RoHS | RoHS Compliant |
典型关闭延迟时间 | 130 ns |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
系列 | IXFN130N30 |
RDS(ON) | 22 mOhms |
安装风格 | SMD/SMT |
功率耗散 | 700 W |
最低工作温度 | - 55 C |
上升时间 | 75 ns |
漏源击穿电压 | 300 V |
案例 | SOT227B |
Transistor type | N-MOSFET |
Drain-source voltage | 300V |
功率 | 700W |
极化 | unipolar |
Drain current | 130A |
Multiplicity | 1 |
Gross weight | 0.05 kg |
On-state resistance | 18mΩ |
Schematic diagram | see |
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