图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 IXT(Y,A,P)1R6N100D2 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 75 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Depletion Mode |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 1000V (1kV) |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 1.6A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 10 Ohm @ 800mA, 0V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | - |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 27nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 645pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 100W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | TO-252, (D-Pak) |
| 包装材料 | Tube |
| FET特点 | Depletion Mode |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.6A (Tc) |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商设备封装 | TO-252, (D-Pak) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 10 Ohm @ 800mA, 0V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 100W |
| 标准包装 | 70 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 1000V (1kV) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 645pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 27nC @ 5V |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 1.6 A |
| 系列 | IXTY1R6N100 |
| 单位重量 | 0.012346 oz |
| RDS（ON） | 10 Ohms |
| 功率耗散 | 100 W |
| 下降时间 | 41 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 正向跨导 - 闵 | 0.65 s |
| 典型关闭延迟时间 | 34 ns |
| 上升时间 | 65 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 1 kV |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 27 nC |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1000 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 宽度 | 6.73 mm |
| Qg - Gate Charge | 27 nC |
| 类型 | Depletion Mode MOSFET |
| 品牌 | IXYS |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 1.6 A |
| 长度 | 6.22 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 10 Ohms |
| 身高 | 2.38 mm |
| 典型导通延迟时间 | 27 ns |
| Pd - Power Dissipation | 100 W |
| 技术 | Si |
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