1. IXFX360N15T2
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厂商型号

IXFX360N15T2 

产品描述

Power Driver ICs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET

内部编号

184-IXFX360N15T2

生产厂商

Ixys

ixys

#1

数量:272
1+¥169.8054
10+¥157.0787
25+¥144.3408
100+¥134.1518
250+¥123.114
最小起订量:1
美国费城
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#2

数量:30
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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IXFX360N15T2产品详细规格

规格书 IXFX360N15T2 datasheet 规格书
IXF(K,X)360N15T2
IXFX360N15T2 datasheet 规格书
特色产品
标准包装 30
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 150V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 360A
Rds(最大)@ ID,VGS 4 mOhm @ 60A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5V @ 8mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 715nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 47500pF @ 25V
功率 - 最大 1670W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-247-3
供应商器件封装 PLUS247™-3
包装材料 Tube
动态目录 N-Channel Standard FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-standard-fets/16390?mpart=IXFX360N15T2&vendor=238&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0
RoHS RoHS Compliant
产品 MOSFET Gate Drivers
类型 GigaMOS Trench T2 HiperFet
上升时间 170 ns
下降时间 265 ns
电源电流 100 A
最大功率耗散 1670 W
最高工作温度 + 175 C
安装风格 Through Hole
封装/外壳 PLUS-247
封装 Tube
最大关闭延迟时间 115 ns
最大开启延迟时间 50 ns
最低工作温度 - 55 C
驱动器数 Single
输出数 1
输出电流 360 A
输出电压 150 V
商品名 TrenchT2 GigaMOS
FET特点 Standard
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 360A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 8mA
漏极至源极电压(Vdss) 150V
供应商设备封装 PLUS247™-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 4 mOhm @ 60A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1670W
标准包装 30
输入电容(Ciss ) @ VDS 47500pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 715nC @ 10V
封装/外壳 TO-247-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工作电源电流 100 A
系列 IXFX360N15
品牌 IXYS
Pd - Power Dissipation 1670 W
工厂包装数量 30

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    0512-67483580
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