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数量:9 |
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规格书 |
IXFN40N90P |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 10 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 900V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 33A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 210 mOhm @ 20A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 6.5V @ 1mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 230nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 14000pF @ 25V |
功率 - 最大 | 695W |
安装类型 | Chassis Mount |
包/盒 | SOT-227-4, miniBLOC |
供应商器件封装 | SOT-227B |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Chassis Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 33A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 6.5V @ 1mA |
漏极至源极电压(Vdss) | 900V |
供应商设备封装 | SOT-227B |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 210 mOhm @ 20A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 695W |
标准包装 | 10 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 14000pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 230nC @ 10V |
封装/外壳 | SOT-227-4, miniBLOC |
工厂包装数量 | 10 |
安装风格 | Screw |
晶体管极性 | N-Channel |
最低工作温度 | - 55 C |
源极击穿电压 | +/- 30 V |
连续漏极电流 | 33 A |
系列 | IXFN40N90 |
单位重量 | 1.340411 oz |
RDS(ON) | 230 mOhms |
功率耗散 | 695 W |
商品名 | HiPerFET |
封装/外壳 | SOT-227B |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 900 V |
RoHS | RoHS Compliant |
类型 | Polar Power MOSFET |
品牌 | IXYS |
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