1. IXFN240N15T2
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IXFN240N15T2 

产品描述

MOSFET N-CH 150V 240A SOT227

内部编号

184-IXFN240N15T2

生产厂商

IXYS

ixys

#1

数量:8
1+¥203.0797
10+¥169.1647
100+¥158.9081
250+¥148.6516
500+¥140.9934
最小起订量:1
美国加州
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IXFN240N15T2产品详细规格

规格书 IXFN240N15T2 datasheet 规格书
IXFN240N15T2
IXFN240N15T2 datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 10
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 150V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 240A
Rds(最大)@ ID,VGS 5.2 mOhm @ 60A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5V @ 8mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 460nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 32000pF @ 25V
功率 - 最大 830W
安装类型 Chassis Mount
包/盒 SOT-227-4, miniBLOC
供应商器件封装 SOT-227B
包装材料 Tube
FET特点 Standard
封装 Tube
安装类型 Chassis Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 240A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 8mA
漏极至源极电压(Vdss) 150V
供应商设备封装 SOT-227B
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 5.2 mOhm @ 60A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 830W
标准包装 10
输入电容(Ciss ) @ VDS 32000pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 460nC @ 10V
封装/外壳 SOT-227-4, miniBLOC
工厂包装数量 10
最低工作温度 - 55 C
系列 IXFN240N15
安装风格 SMD/SMT
商品名 HiPerFET
封装/外壳 SOT-227B
上升时间 125 ns
最高工作温度 + 175 C
RoHS RoHS Compliant
下降时间 145 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 150 V
晶体管极性 N-Channel
Qg - Gate Charge 460 nC
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V
类型 GigaMOS Trench T2 HiperFet
品牌 IXYS
正向跨导 - 闵 125 S
Id - Continuous Drain Current 240 A
Rds On - Drain-Source Resistance 5.2 mOhms
典型关闭延迟时间 77 ns
通道模式 Enhancement
典型导通延迟时间 48 ns
Pd - Power Dissipation 830 W
技术 Si

IXFN240N15T2系列产品

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