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数量:8 |
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规格书 |
![]() IXFN240N15T2 ![]() |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 10 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 150V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 240A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 5.2 mOhm @ 60A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 5V @ 8mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 460nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 32000pF @ 25V |
功率 - 最大 | 830W |
安装类型 | Chassis Mount |
包/盒 | SOT-227-4, miniBLOC |
供应商器件封装 | SOT-227B |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Chassis Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 240A |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 5V @ 8mA |
漏极至源极电压(Vdss) | 150V |
供应商设备封装 | SOT-227B |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 5.2 mOhm @ 60A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 830W |
标准包装 | 10 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 32000pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 460nC @ 10V |
封装/外壳 | SOT-227-4, miniBLOC |
工厂包装数量 | 10 |
最低工作温度 | - 55 C |
系列 | IXFN240N15 |
安装风格 | SMD/SMT |
商品名 | HiPerFET |
封装/外壳 | SOT-227B |
上升时间 | 125 ns |
最高工作温度 | + 175 C |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 145 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 150 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Qg - Gate Charge | 460 nC |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
类型 | GigaMOS Trench T2 HiperFet |
品牌 | IXYS |
正向跨导 - 闵 | 125 S |
Id - Continuous Drain Current | 240 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 5.2 mOhms |
典型关闭延迟时间 | 77 ns |
通道模式 | Enhancement |
典型导通延迟时间 | 48 ns |
Pd - Power Dissipation | 830 W |
技术 | Si |
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