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数量:2769 |
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| 规格书 |
 ZXMN3AM832TA |
| 文档 |
MLP832 Bottom MLP832 Side MLP322, 832 Pkg 20/Dec/2010 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | MLP322, 832 Pkg Discontinuation 20/Dec/2010 |
| 标准包装 | 3,000 |
| FET 型 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 2.9A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 120 mOhm @ 2.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 3.9nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 190pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-MLP |
| 供应商器件封装 | 8-MLP (3x2) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| 包装高度 | 1(Max) |
| 安装 | Surface Mount |
| 最大功率耗散 | 3000 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 120@10V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 包装宽度 | 2 |
| 供应商封装形式 | MLP |
| 包装长度 | 3 |
| PCB | 8 |
| 最大连续漏极电流 | 3.7 |
| 引脚数 | 8 |
| 单位包 | 3000 |
| 最小起订量 | 3000 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.9A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | 8-MLP (3x2) |
| 其他名称 | ZXMN3AM832TR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 120 mOhm @ 2.5A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 190pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 3.9nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-MLP |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 3.7 A |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 180 mOhms |
| 功率耗散 | 3 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | MLP-8 |
| 典型关闭延迟时间 | 6.6 ns |
| 上升时间 | 2.3 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | In Transition |
| 下降时间 | 2.9 ns |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 190pF @ 25V |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 120 mOhm @ 2.5A, 10V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 3.9nC @ 10V |
| FET 功能 | Logic Level Gate |
| FET 类型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 2.9A |
| 功率 - 最大值 | 1.5W |
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