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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

ZXMN3A06DN8TC 

产品描述

MOSFET Dl 30V N Chnl UMOS

内部编号

110-ZXMN3A06DN8TC

生产厂商

Diodes Inc.

diodes

#1

数量:0
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美国费城
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ZXMN3A06DN8TC产品详细规格

规格书 ZXMN3A06DN8TC datasheet 规格书
ZXMN3A06DN8
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 2 N-Channel (Dual)
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 4.9A
Rds(最大)@ ID,VGS 35 mOhm @ 9A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 1V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 17.5nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 796pF @ 25V
功率 - 最大 1.25W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件封装 8-SOP
包装材料 Tape & Reel (TR)
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 4.9A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1V @ 250µA
供应商设备封装 8-SOP
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 35 mOhm @ 9A, 10V
FET型 2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大 1.25W
标准包装 2,500
漏极至源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss ) @ VDS 796pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 17.5nC @ 10V
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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