图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:0 |
|
最小起订量:1 美国费城 当天发货，5-8个工作日送达. |
|
| 规格书 |
 ZXMN3A01E6 |
| 文档 |
SOT-23-6 Pin Out |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 10,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 2.4A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 120 mOhm @ 2.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 3.9nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 190pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 1.1W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | SOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-6 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 2.4A (Ta) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1V @ 250µA |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 供应商设备封装 | SOT-23-6 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 120 mOhm @ 2.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1.1W |
| 标准包装 | 10,000 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 190pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 3.9nC @ 10V |
ZXMN3A01E6TC相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家
