1. ZXMN3A02X8TC
  2. ZXMN3A02X8TC

图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

ZXMN3A02X8TC 

产品描述

MOSFET 30V N Chnl UMOS

内部编号

110-ZXMN3A02X8TC

生产厂商

Diodes Inc.

diodes

#1

数量:0
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

ZXMN3A02X8TC产品详细规格

规格书 ZXMN3A02X8TC datasheet 规格书
ZXMN3A02X8
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 4,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 5.3A
Rds(最大)@ ID,VGS 25 mOhm @ 12A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 1V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 26.8nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1400pF @ 25V
功率 - 最大 1.1W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)
供应商器件封装 8-MSOP
包装材料 Tape & Reel (TR)
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 5.3A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1V @ 250µA
封装/外壳 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
供应商设备封装 8-MSOP
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 25 mOhm @ 12A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.1W
标准包装 4,000
漏极至源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss ) @ VDS 1400pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 26.8nC @ 10V

ZXMN3A02X8TC系列产品

ZXMN3A02X8TC相关搜索

订购ZXMN3A02X8TC.产品描述:MOSFET 30V N Chnl UMOS. 生产商: Diodes Inc..芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-82149921
    010-62155488
    010-82149008
    010-82149488
    010-57196138
  • 深圳
  • 0755-83997440
    0755-82511472
    0755-83975736
    0755-83247615
  • 苏州
  • 0512-67684200
    0512-68796728
    0512-67687578
    0512-67683728
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com