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NXP Semiconductors N.V.

NXP Semiconductors N.V.- 分立半导体

恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）是一家全球领先的半导体公司，总部位于荷兰埃因霍温，拥有超过50年的创新历史，最初隶属于飞利浦，于2006年独立运营。公司专注于高性能混合信号（HPMS）和标准产品解决方案，融合了射频、模拟、电源管理、接口、安全与数字处理领域的深厚专长。其核心业务覆盖汽车、工业与物联网、移动设备以及通信基础设施，为全球顶级原始设备制造商提供服务。产品系列丰富，包括i.MX应用处理器、LPC和Kinetis微控制器、S32汽车平台、QorIQ/Layerscape通信处理器以及MIFARE和SmartMX等安全识别方案。在汽车领域，恩智浦提供车载网络、安全门禁和高级驾驶辅助系统（ADAS）芯片，其中S32域控制器芯片被广泛采用。公司是全球汽车半导体和安全识别（NFC）领域的头号供应商，在汽车微控制器和数字钥匙市场占据领先份额。2015年与飞思卡尔半导体合并后，恩智浦进一步增强了嵌入式处理实力和规模优势。在射频功率放大器、传感器（如FXOS/FXLS加速度计）以及边缘计算平台方面同样具有强大竞争力。按营收计算，恩智浦稳居全球半导体行业前十，超过60%的销售额来自于亚太地区，体现出深度融入区域电子产业生态的特点。

03

分立半导体 - 型号列表

共 106 个型号

封装形式

供应商器件封装

输入电容（Ciss）（最大）@ Vds

宽度

其他名称

标准包装数量

集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic

漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）

零件号别名

包装方式

工作温度

Vgs(th)（最大）@ Id

最大功耗

最大功率

晶体管类型

击穿电压

包装数量

连续漏极电流（Id）@ 25°C

峰值脉冲电流（10/1000µs）

长度

冷却的封装

位数

最大栅源电压 Vgs

额定功率

导通电阻（最大）

工厂包装数量

高度

FET类型

截止电压（VGS off）@ Id

栅极触发电压 Vgt (最大)

配置

标准封装名称

总长度

外壳尺寸-插件

导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs

增益

频率

最大频率

输出电流

典型功耗（条件）

尺寸/外形

导通电阻 RDS(On)

漏源电压（Vdss）

栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs

产品类别

RoHS

安装类型

类型

击穿电压（V(BR)GSS）

导通电阻（典型）

引脚样式

平均正向功率

测试电压

额定电压

最大额定电流

输出功率

噪声系数

安装样式

通道类型

印刷电路板数量

首抽头延迟

元件数量

开关时间（Ton, Toff）（最大）

卡标准

供电电压

最小输入电压

过渡频率

集电极电流（Ic）（最大）

集电极截止电流（最大）

直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce

额定输出功率

测试效率

重量

SPG

单元数量

制造商零件编号库存价格包装方式RoHS封装形式标准包装数量安装类型供应商器件封装配置工作温度晶体管类型输入电容（Ciss）（最大）@ Vds工厂包装数量宽度安装样式位数最大功率FET类型漏源电压（Vdss）Vgs(th)（最大）@ Id集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic最大栅源电压 Vgs击穿电压最大功耗通道类型其他名称制造商全称栅极触发电压 Vgt (最大)漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0）零件号别名产品类别长度冷却的封装欧盟RoHS包装数量额定功率元件数量高度截止电压（VGS off）@ Id总长度外壳尺寸-插件印刷电路板数量连续漏极电流（Id）@ 25°C峰值脉冲电流（10/1000µs）导通电阻 RDS(On)击穿电压（V(BR)GSS）标准封装名称引脚样式导通电阻（最大）尺寸/外形类型导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs卡标准增益技术频率最大频率输出电流典型功耗（条件）导通电阻（典型）FET特性栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs平均正向功率首抽头延迟测试电压额定电压最大额定电流输出功率噪声系数机械寿命系列开关时间（Ton, Toff）（最大）供电电压最小输入电压过渡频率电源电压（最大）Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic集电极电流（Ic）（最大）集电极截止电流（最大）直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce插片宽度额定输出功率测试效率产品抗辐射加固重量SPG极性单元数量结工作温度回波损耗典型功率增益测试频率通道数量放大器类型增益带宽积噪声系数（dB典型值 @ f）漏电流（最大）下降时间栅极电荷上升时间（典型）电流传输比（最小）
BGD702
BGD702

RF Amplifier BULK CATV BGD702, RF Amplifier Module 19.7dB 750MHz, 7-Pin SOT-115J BGD702,750MHZAMPLIFIER

NXP Semiconductors

1511: ¥386.512BulkRoHS CompliantSOT-115-Screw--+ 100 C--2513.75mmSMD/SMT7-------------BGD702,112RF Amplifier44.75mmSOT-115J----20.8mm-----------44.75 x 13.75 x 20.8mmGeneral Purpose Amplifier----750 MHz750 MHz435 mA19.7 dB---------6.5 dBObsolete--------------------21 dB19.7 dB750 MHz1General Purpose-------
J2A080GX0/T0BG295,
J2A080GX0/T0BG295,

J2A080GX0/PLLCC8/REEL13//T0BG2 TRANSISTOR JFET 8PLLCC JFET J2A080GX0/T0BG295/PLLCC8/REEL1

nxp semiconductors

-ReelLead free / RoHS Compliant-12,500-------------------935292489118NXP Semiconductors-------------------------------------------*-------------------------------
J112,126
2
J112,126

JFET AMMORA FET-RFSS JFET N-CH 40V 400MW TO92-3

NXP Semiconductors

-Tape & Box (TB)RoHS CompliantTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads2,000Through HoleTO-92-3Single-N-Channel6pF @ 10V (VGS)2000-SMD/SMT-400mWN-Channel40V- 40 V40 V-----NXP Semiconductors- 40 V5mA @ 15VAMO J112JFET-------1V @ 1µA-----50 Ohm40V--------------------------------------------------------
J113,126
3
J113,126

JFET AMMORA FET-RFSS Trans JFET N-CH 40V Si 3-Pin SPT Ammo JFET N-CH 40V 400MW TO92-3

NXP Semiconductors

-AmmoLead free / RoHS CompliantTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads10,000Through HoleTO-92-3Single150N-Channel6pF @ 10V (VGS)20004.2(Max)SMD/SMT3400mWN-Channel40V500mV @ 1µA40 V-4040400N-NXP Semiconductors- 40 V2mA @ 15VAMO J113JFET--CompliantSPT---500mV @ 1µA4.8(Max)5.2(Max)3--100 Ohm40VTO-92Through Hole-----------100 Ohm------------------------------------------
J109,126
3
J109,126

JFET AMMORA J-FET JFET N-CH 25V 400MW SOT54

NXP Semiconductors

-Tape & Box (TB)RoHS CompliantTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads2,000Through HoleTO-92-3Single-N-Channel30pF @ 10V (VGS)2000-SMD/SMT-400mWN-Channel25V2V @ 1µA25 V-----NXP Semiconductors- 25 V80mA @ 15VAMO J109JFET-------2V @ 1µA---40 mA-12 Ohm25V-------------12 Ohm------------------------------------------
J175,116
J175,116

JFET TAPERA P-channel FET JFET P-CH 30V 400MW TO92

NXP Semiconductors

-Tape & Box (TB)RoHS CompliantTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads10,000Through HoleTO-92Single+ 150 CP-Channel8pF @ 10V (VGS)2000-Through Hole-400mWP-Channel30V--------30 V7mA @ 15VJ175 T/RJFET----400 mW--3V @ 10nA-----125 Ohm30V--------------------------------------------------------
PH4025L,115
2
PH4025L,115

MOSFET PWR-MOS MOSFET N-CH 25V 99A LFPAK PH4025L,115, N-channel MOSFET Transistor 99A 25V, 5-Pin LFPAK

NXP Semiconductors

-Tape & Reel (TR)CompliantSC-100, SOT-669, 4-LFPAK1,500Surface MountLFPAK56, Power-SO8Single, Triple Source+150 °C-2601pF @ 12V-4.1mm-546.4WMOSFET N-Channel, Metal Oxide25V2.15V @ 1mA-±20 V25 V46.4 WEnhancement------5mmLFPAK---11.1mm----99A (Tc)99 A----0.004 Ω5 x 4.1 x 1.1mm-4 mOhm @ 25A, 10VPower MOSFET-------Logic Level Gate21.3nC @ 4.5V-35 ns-------28.3 ns------------------------------
PH4830L,115
2
PH4830L,115

MOSFET PWR-MOS MOSFET N-CH 30V 84A LFPAK PH4830L,115, N-channel MOSFET Transistor 84A 30V, 5-Pin LFPAK

NXP Semiconductors

-Tape & Reel (TR)CompliantSC-100, SOT-669, 4-LFPAK1,500Surface MountLFPAK56, Power-SO8Single, Triple Source+150 °C-2786pF @ 12V-4.1mm-562.5WMOSFET N-Channel, Metal Oxide30V2.15V @ 1mA-±20 V30 V62.5 WEnhancement------5mmLFPAK---11.1mm----84A (Tc)84 A----0.005 Ω5 x 4.1 x 1.1mm-4.8 mOhm @ 25A, 10VPower MOSFET-------Logic Level Gate22.9nC @ 4.5V-35 ns-------28 ns------------------------------
BFU630F,115
3
BFU630F,115

Transistors RF Bipolar Small Signal Single NPN 21GHz Trans GP BJT NPN 5.5V 0.03A 4-Pin(3+Tab) DFP T/R TRANSISTOR NPN SOT343F TRANSISTOR NPN SOT343F-4 Transistors RF Bipolar Single NPN 21GHz RF Bipolar Transistors Single NPN 21GHz

NXP Semiconductors

-Tape and ReelLead free / RoHS CompliantSOT-343F3,000Surface Mount4-DFPSingle+ 150 CNPN-30001.35(Max)SMD/SMT4200mW---16--200-568-8453-1NXP Semiconductors------CompliantDFP200 mW1--2.2(Max)0.75(Max)3----DFP---NPN--13dB ~ 22.5dBSi-21000(Typ)-----200 mW---------5.5V5.521GHz2.52.5 V30mA3 mA90@5mA@2VTab--------------21 GHz0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz-----
BF1211WR,115
2
BF1211WR,115

Transistors RF MOSFET Small Signal TAPE-7 MOS-RFSS MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R BF1211WR,115, N-channel Dual Gate MOSFET Transistor, 0.03A 6V, 4-Pin CMPAK

NXP Semiconductors

-Tape & Reel (TR)Lead free / RoHS CompliantSC-82A, SOT-3433,000Surface MountCMPAK-4Dual Gate, Single+150 °CN-Channel Dual Gate1.1 pF @ 5 V (Gate 2), 2.1 pF @ 5 V (Gate 1)-1.35mm-4-----6 V6 V0.18 WEnhancement568-1961-1-----2.2mmCMPAK---11mm-----0.03 A-----2.2 x 1.35 x 1mm--RF MOSFET29dB-400MHz-15mA34 dB-----5V6V30mA-0.9dB---------------------------------
BFG10/X,215
3
BFG10/X,215

Transistors RF Bipolar Small Signal Single NPN 8V 250mA 400mW 25 Trans GP BJT NPN 8V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R TRANS RF NPN 2GHZ 8V SOT143 Transistors RF Bipolar Single NPN 8V 250mA 400mW 25 RF Bipolar Transistors Single NPN 8V 250mA 400mW 25

NXP Semiconductors

-Tape and ReelLead free / RoHS CompliantTO-253-4, TO-253AA3,000Surface MountSOT-143BSingle175NPN-30001.4(Max)SMD/SMT4400mW---20--400-568-6184-6NXP Semiconductors------CompliantSOT-143B400 mW1--3(Max)1(Max)3-----Gull-wing--NPN--7dBSi-------400 mW----0.2----8V81.9GHz2.52.5 V250mA250 mA25@50mA@5VTab---------------------
BLF202,115
3
BLF202,115

Transistors RF MOSFET Power TAPE-7 TNS-RFPR Trans RF MOSFET N-CH 40V 1A 8-Pin CDIP SMD T/R TRANSISTOR RF DMOS SOT409A BLF202,115, N-channel MOSFET Transistor, 1A 40V, 8-Pin CDIP-SMD

NXP Semiconductors

-Tape and ReelLead free / RoHS CompliantSOT-409A500Surface Mount8-CDIPDual Drain, Dual Gate, Quad Source, Single+200 °C2 N-Channel (Dual)5.3 pF V @ 12.5-4.93mm-8-----±20 V40 V5.7 WEnhancement568-2410-1-----5.94mmCDIP-SMDCompliantCDIP SMD-1------1 A--CDIP SMDGull-wing4 Ω---RF MOSFET13dB-175MHz17520mA13 dB-----12.5V40V1A2-------------2W55-------------------
BLF2045,112
3
BLF2045,112

Transistors RF MOSFET Power BULK TNS-RFPR Trans RF MOSFET N-CH 65V 4.5A 3-Pin LDMOST Blister TRANSISTOR RF LDMOS SOT467C BLF2045,112, N-channel MOSFET Transistor, 4.5A 65V, 3-Pin LDMOST

NXP Semiconductors

-BlisterLead free / RoHS CompliantSOT467C60ScrewLDMOSTSingle+200 °CLDMOS38 pF V @ 26-5.97mm-3-----±15 V65 V-N------20.45mmLDMOSTCompliantLDMOST-14.67mm-20.45(Max)4.67(Max)3-4.5 A--LDMOST-340(Typ)@12.5V20.45 x 5.97 x 4.67mm--RF MOSFET10dB-2GHz2200180mA10(Max)-----26V65V4.5A30-------------30W30(Max)-------------------
BFT46.215
3
BFT46.215

Trans JFET N-CH 25V 10mA 3-Pin TO-236AB T/R Trans JFET N-CH 25V 10mA Si 3-Pin TO-236AB T/R JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 Transistors RF JFET TAPE7 FET-RFSS BFT46@215 Transistor: N-FET; unipolar; 25V; 10mA; 250mW; SOT23 RF JFET Transistors TAPE7 FET-RFSS

nxp semiconductors

-Tape and ReelLead free / RoHS Compliant3TO-236ABTape & ReelSurface MountSOT-23-3Single-65 to 150 °CN-Channel5pF @ 10V30001.4 mmSMD/SMT3250mWN-Channel25V25 V1.2 V-25 V25 V250N568-8482-1NXP Semiconductors- 25 V200µA @ 10VBFT46 T/RTransistors RF JFET3 mmTO-236ABCompliantTO-236AB250 mW-1 mm1.2V @ 0.5nA3(Max)1(Max)310 mA10 mA--SOT-23Gull-wing--Silicon---Si-------250 mW--------------------RF JFETNo0.34 g250unipolar1150C-------10mA----
PMBFJ310,215
2
PMBFJ310,215

Trans JFET N-CH 25V 3-Pin TO-236AB T/R Trans JFET N-CH 25V Si 3-Pin TO-236AB T/R JFET N-CH 25V 250MW SOT23 JFET JFET N-CHAN 25V Transistor: N-JFET; unipolar; 25V; 60mA; 250mW; SOT23

nxp semiconductors

-Tape and ReelLead free / RoHS Compliant3TO-236ABTape & ReelSurface MountSOT-23-3Single-65 to 150 °CN-Channel5pF @ 10V30001.4(Max)SMD/SMT3250mWN-Channel25V2V @ 1µA25V-25 V25 V250N568-2083-1-- 25 V24mA @ 10VPMBFJ310 T/RJFET--CompliantTO-236AB250mW--2V @ 1µA3(Max)1(Max)3--50 Ohm25VSOT-23Gull-wing-----------50 Ohm-------------------------0.04 g30unipolar5-------------
PMBFJ308,215
2
PMBFJ308,215

Trans JFET N-CH 25V 3-Pin TO-236AB T/R JFET N-CH 25V 250MW SOT23 Transistors RF JFET TAPE7 FET-RFSS Trans JFET N-CH 25V Si 3-Pin TO-236AB T/R PMBFJ308@215 RF JFET Transistors TAPE7 FET-RFSS

nxp semiconductors

-Tape & Reel (TR)Lead free / RoHS Compliant3TO-236ABTape & ReelSurface MountSOT-23-3Single-65 to 150 °CN-Channel5pF @ 10V30001.4 mmSMD/SMT3250mWN-Channel25V- 25 V- 6.5 V-25 V25 V-N-NXP Semiconductors- 25 V12mA @ 10VPMBFJ308 T/RTransistors RF JFET3 mmTO-236AB--250 mW-1 mm1V @ 1µA---60 mA-50 Ohm25V--50 Ohms-Silicon50 Ohms--Si----50 Ohm--250 mW--------------------RF JFETNo----150C------------
ON5421,127
2
ON5421,127

ON5421/SOT78/RAILH// MOSFET RF TO220AB TO220AB MOSFET ON5421/SOT78/RAILH//

nxp semiconductors

-Tube-TO-220-350-TO-220AB----50-Through Hole-----------NXP Semiconductors---------------------------Si-----------------------------------------------
OP582/ABD,029
OP582/ABD,029

OP582/UNCASED/PUTA//ABD MOSFET OP582/UNCASED/PUTA//

nxp semiconductors

-----------2500--------------------------------------------------------Obsolete--------------------------------
PMGD290UCEAX
PMGD290UCEAX

3000 MOSFET N/P-CH 20V 6TSSOP MOSFET PMGD290UCEA/SC-88/REEL7//

NXP Semiconductors

90003000: ¥0.7293Tape & Reel (TR)Lead free / RoHS Compliant6-TSSOP, SC-88, SOT-3633,000Surface Mount6-TSSOPDual- 55 CN and P-Channel83pF @ 10V--SMD/SMT-280mWN and P-Channel20V1.3V @ 250µA20 V, - 20 V----568-10794-6-8 V725 mA, - 500 mA------990 mW------725mA (Ta), 500mA (Ta)--------380 mOhm @ 500mA, 4.5V--------Logic Level Gate0.68nC @ 4.5V-86 ns, 80 ns------*---------------------------31 ns, 72 ns0.45 nC, 0.76 nC4 ns, 30 ns1.6 S, 610 mS
PMDPB70XP,115
PMDPB70XP,115

Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin HUSON EP T/R MOSFET P-CH 30V 2.9A 6DFN MOSFET P-Chan -30V -3.8A

NXP Semiconductors

-Tape and ReelLead free / RoHS Compliant6-UDFN Exposed Pad3,000Surface Mount6-HUSON (2X2)Dual150P-Channel680pF @ 15V30002SMD/SMT6490mW2 P-Channel (Dual)30V1V @ 250µA- 30 V12301170Enhancement568-10443-1-+/- 12 V- 3.8 A----CompliantHUSON EP1170 mW2--20.61(Max)62.9A (Ta)2.9---No Lead87@4.5V--87 mOhm @ 2.9A, 4.5V--------Logic Level Gate7.8nC @ 5V----------------------------------------
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