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PMDPB70XP,115

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PMDPB70XP,115

制造商
描述
Trans MOSFET P-CH 30V 2.9A 6-Pin HUSON EP T/R MOSFET P-CH 30V 2.9A 6DFN MOSFET P-Chan -30V -3.8A
分类
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商业参数

其他名称568-10443-1标准包装数量3,000
工厂包装数量3000

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant

电气参数

FET类型2 P-Channel (Dual)最大栅源电压 Vgs12
FET特性Logic Level Gate最大功率490mW
额定功率1170 mW晶体管类型P-Channel
元件数量2Vgs(th)(最大)@ Id1V @ 250µA
击穿电压30导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs87 mOhm @ 2.9A, 4.5V
最大功耗1170集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic- 30 V
导通电阻(最大)87@4.5V栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs7.8nC @ 5V
漏源电压(Vdss)30V峰值脉冲电流(10/1000µs)2.9
栅极触发电压 Vgt (最大)+/- 12 V漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)- 3.8 A
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds680pF @ 15V连续漏极电流(Id)@ 25°C2.9A (Ta)

机械参数

宽度2包装方式Tape and Reel
引脚样式No Lead安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT封装形式6-UDFN Exposed Pad
总长度2包装数量HUSON EP
位数6外壳尺寸-插件0.61(Max)
供应商器件封装6-HUSON (2X2)

产品信息

通道类型Enhancement配置Dual
印刷电路板数量6

环境参数

工作温度150