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BFT46.215
| 制造商 | |
| 描述 | Trans JFET N-CH 25V 10mA 3-Pin TO-236AB T/R Trans JFET N-CH 25V 10mA Si 3-Pin TO-236AB T/R JFET N-CH 10MA 250MW SOT23 Transistors RF JFET TAPE7 FET-RFSS BFT46@215 Transistor: N-FET; unipolar; 25V; 10mA; 250mW; SOT23 RF JFET Transistors TAPE7 FET-RFSS |
| 分类 |
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商业参数
| 产品 | RF JFET | 其他名称 | 568-8482-1 |
| 零件号别名 | BFT46 T/R | 产品类别 | Transistors RF JFET |
| 标准包装数量 | Tape & Reel | 工厂包装数量 | 3000 |
| 标准封装名称 | SOT-23 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| FET类型 | N-Channel | 最大栅源电压 Vgs | -25 V |
| 最大功率 | 250mW | 额定功率 | 250 mW |
| 晶体管类型 | N-Channel | Vgs(th)（最大）@ Id | 25 V |
| 击穿电压 | 25 V | 平均正向功率 | 250 mW |
| 最大功耗 | 250 | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 1.2 V |
| 漏电流（最大） | 10mA | 漏源电压（Vdss） | 25V |
| 截止电压（VGS off）@ Id | 1.2V @ 0.5nA | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 10 mA |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | - 25 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 200µA @ 10V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 5pF @ 10V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 10 mA |
机械参数
| 宽度 | 1.4 mm | 高度 | 1 mm |
| 长度 | 3 mm | 重量 | 0.34 g |
| 包装方式 | Tape and Reel | 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | 3TO-236AB | 冷却的封装 | TO-236AB |
| 总长度 | 3(Max) | 包装数量 | TO-236AB |
| 位数 | 3 | 外壳尺寸-插件 | 1(Max) |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 | ||
产品信息
| SPG | 250 | 类型 | Silicon |
| 极性 | unipolar | 技术 | Si |
| 通道类型 | N | 制造商全称 | NXP Semiconductors |
| 配置 | Single | 单元数量 | 1 |
| 印刷电路板数量 | 3 | ||
环境参数
| 工作温度 | -65 to 150 °C | 结工作温度 | 150C |