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PMBFJ308,215
| 制造商 | |
| 描述 | Trans JFET N-CH 25V 3-Pin TO-236AB T/R JFET N-CH 25V 250MW SOT23 Transistors RF JFET TAPE7 FET-RFSS Trans JFET N-CH 25V Si 3-Pin TO-236AB T/R PMBFJ308@215 RF JFET Transistors TAPE7 FET-RFSS |
| 分类 |
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商业参数
| 产品 | RF JFET | 零件号别名 | PMBFJ308 T/R |
| 产品类别 | Transistors RF JFET | 标准包装数量 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 3000 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 抗辐射加固 | No |
电气参数
| FET类型 | N-Channel | 最大栅源电压 Vgs | -25 V |
| 最大功率 | 250mW | 导通电阻（典型） | 50 Ohm |
| 额定功率 | 250 mW | 晶体管类型 | N-Channel |
| Vgs(th)（最大）@ Id | - 25 V | 击穿电压 | 25 V |
| 导通电阻 RDS(On) | 50 Ohm | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 50 Ohms |
| 平均正向功率 | 250 mW | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | - 6.5 V |
| 导通电阻（最大） | 50 Ohms | 漏源电压（Vdss） | 25V |
| 击穿电压（V(BR)GSS） | 25V | 截止电压（VGS off）@ Id | 1V @ 1µA |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | - 25 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 12mA @ 10V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 5pF @ 10V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 60 mA |
机械参数
| 宽度 | 1.4 mm | 高度 | 1 mm |
| 长度 | 3 mm | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount | 安装样式 | SMD/SMT |
| 封装形式 | 3TO-236AB | 冷却的封装 | TO-236AB |
| 位数 | 3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
产品信息
| 类型 | Silicon | 技术 | Si |
| 通道类型 | N | 制造商全称 | NXP Semiconductors |
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 工作温度 | -65 to 150 °C | 结工作温度 | 150C |
文档与媒体
PDF 文档
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